[发明专利]压电薄膜谐振器、通信模块、通信装置有效

专利信息
申请号: 201180008837.5 申请日: 2011-01-11
公开(公告)号: CN102754342A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 横山刚;谷口真司;西原时弘;上田政则 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/24;H03H9/54;H03H9/70
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;马建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压电 薄膜 谐振器 通信 模块 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及压电薄膜谐振器、通信模块、通信装置。

背景技术

近年来,以手机为代表的无线设备迅速普及,由此,通过组合多个采用压电材料的利用表面声波(SAW)或厚度振动波(BAW)的谐振器,开发出具有只允许特定频带的电信号通过的特征的高频通信用滤波器元件。目前为止主要使用电介质滤波器和SAW滤波器,但是最近,使用作为高频特性特别良好且能够实现小型化、单片化的元件的压电薄膜谐振器构成的滤波器备受关注。

压电薄膜谐振器将在与电极面垂直的方向上传播的振动作为基本振动模式,但有时存在在与电极面平行的方向上传播的其它振动模式。这种在与电极面平行的方向上传播的振动称作“横模寄生波”,其对于基本振动模式来说是噪音。

专利文献1公开有以下压电薄膜谐振器:在隔着压电薄膜的至少一部分存在的上部电极与下部电极的相对部分,在上部电极设置多个孔,所述多个孔分别不规则地配置、以不规则的大小配置或者以不规则的形状配置,由此抑制横模寄生波。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2007-184816号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而,在专利文献1公开的压电薄膜谐振器中,存在用于抑制横模寄生波的孔的配置方法和图案设计很困难这样的课题。

用于解决问题的手段

本发明的压电薄膜谐振器具有:基板;下部电极,其配置在所述基板的上方;压电膜,其配置在所述下部电极的上方;以及上部电极,其隔着所述压电膜的至少一部分而与所述下部电极相对配置,其中,所述上部电极至少在与所述下部电极相对的区域形成有多个凹凸图案,所述凹凸图案以在所述区域的中心部密集配置,在所述区域的外周部稀疏配置的方式形成。

本发明的压电薄膜谐振器具有:基板;下部电极,其配置在所述基板的上方;压电膜,其配置在所述下部电极的上方;以及上部电极,其隔着所述压电膜的至少一部分而与所述下部电极相对配置,其中,所述压电薄膜谐振器具有配置在所述上部电极的上方的质量负载膜,所述质量负载膜至少在与所述下部电极相对的区域形成有多个凹凸图案,所述凹凸图案以在所述区域的中心部密集配置,在所述区域的外周部稀疏配置的方式形成。

发明效果

根据本发明,能够简单地降低不需要的寄生波。

附图说明

图1A是在不规则的位置具有孔的上部电极的俯视图。

图1B是具有不规则的形状的孔的上部电极的俯视图。

图1C是具有不规则的大小的孔的上部电极的俯视图。

图2A是实施方式的压电薄膜谐振器的俯视图。

图2B是图2A中的A-A部分的剖视图。

图3A是示出压电薄膜谐振器的制造工序的剖视图。

图3B是示出压电薄膜谐振器的制造工序的剖视图。

图3C是示出压电薄膜谐振器的制造工序的剖视图。

图3D是示出压电薄膜谐振器的制造工序的剖视图。

图4是实施例1的质量负载膜的俯视图。

图5是示出压电薄膜谐振器的谐振特性的特性图。

图6是比较例2的质量负载膜的俯视图。

图7是示出压电薄膜谐振器的谐振特性的特性图。

图8是比较例3的质量负载膜的俯视图。

图9是示出压电薄膜谐振器的谐振特性的特性图。

图10是示出质量负载膜的变形例的俯视图。

图11是实施例2的压电薄膜谐振器的剖视图。

图12是实施例3的梯形滤波器(ladder-type filter)的电路图。

图13是实施例3的桥式滤波器(lattice-type filter)的电路图。

图14是通信模块的框图。

图15是通信装置的框图。

图16是示出质量负载膜的变形例的俯视图。

具体实施方式

<1.压电薄膜谐振器的结构>

在压电薄膜谐振器中,存在FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator:薄膜腔声谐振器)类型和SMR(Solidly Mounted Resonator:固态装配式谐振器)类型。

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