[发明专利]氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法无效
| 申请号： | 201180009515.2 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102753732A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 中村宏 | 申请（专利权）人： | 美泰乐科技（日本）股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/48 | 分类号： | C25D3/48;C25D7/00;H05K3/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电解 镀金 使用 方法 | ||
1.一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：
以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、
结晶调节剂、
导电盐、
缓冲剂、和
以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂。
2.一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：
以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、
结晶调节剂、
导电盐、
缓冲剂、
以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂、和
乙二胺四乙酸。
3.权利要求2所述的氰系电解镀金浴，乙二胺四乙酸的浓度为0.1mg/L～20g/L。
4.权利要求1或2所述的氰系电解镀金浴，导电盐包含选自柠檬酸盐、甲酸盐的一种以上，所述导电盐的浓度为100～250g/L。
5.权利要求1或2所述的电解镀金浴，结晶调节剂包含铊化合物或铅化合物，所述结晶调节剂的浓度以铊或铅计为0.1～20mg/L。
6.权利要求1或2所述的电解镀金浴，缓冲剂包含选自磷酸、硼酸、柠檬酸及它们的盐的一种以上，所述缓冲剂的浓度为1～300g/L。
7.一种印刷布线基板的镀敷方法，其特征在于，使用权利要求1或2所述的氰系电解镀金浴，以镀敷电流密度为0.05～0.5A/dm2、镀浴的pH为3.5～8.5、镀浴的温度为55～70℃进行镀敷。
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