[发明专利]氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法

说明书

技术领域

本发明涉及在BGA(（球栅阵列）Ball Grid Array)布线基板等印刷布线基板及IC封装、硅或化合物晶片等电子工业部件上形成镀金膜时适于使用的氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法。

背景技术

使用氰系电解镀金浴形成的镀金膜被广泛用于印刷布线基板，以及IC封装及LSI封装、LC驱动IC等精密电子设备部件。对于这些精密电子设备部件中使用的镀金膜，要求高的引线结合性、钎焊性、耐热性。镀金膜的平滑性和金纯度是控制这些特性的重要因素。为了形成这些特性得到改善的镀金膜，使用铊和铅等结晶调节剂(专利文献1-3)。

氰系电解镀金浴中的金浓度通常为8～10g/L。如果金浓度在该范围内，则得到95％左右的阴极电流效率。但是，镀浴中的金浓度降低到4g/L以下时，阴极电流效率显著降低，生产率恶化。另外，由于阴极电流效率的降低，发生伴随有氢气产生的副反应。由于该影响，产生烧焦镀敷（ヤケめっき），或产生以保护膜剥落为主要原因的镀金膜的异常析出。其结果，发生电路图案的短路、镀膜的剥落、后工序中的接合不良等。

降低镀浴中的金浓度可以有效降低镀敷的操作成本。但是，镀浴中的金浓度过低时，阴极电流效率降低而产生上述的问题。

现有的氰系电解镀金浴在阴极电流密度0.1～0.3A/dm²的范围内使用时，均匀电镀性变高。由于该原因，实际操作中，在阴极电流密度0.1～0.3A/dm²的范围内进行适当的镀敷。但是，在镀浴中的金浓度低于5g/L的情况下，阴极电流密度在0.1～0.5A/dm²的范围内、特别是在0.1～0.3A/dm²的范围内，不能以超过90％的阴极电流效率进行镀敷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平2-247397号公报

专利文献2：特许第3139213号公报

专利文献3：特开平21-280867号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明所要解决的课题在于，提供一种氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法，该氰系电解镀金浴即使镀浴中的金浓度为低于5g/L以下的金浓度，在阴极电流密度为0.01～1.5A/dm²的范围内，也能够以高的阴极电流效率形成平滑的镀金膜。本发明要解决的另一课题在于，提供一种氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法，该氰系电解镀金浴能够形成均匀电镀性高、且具有高的引线结合性及焊球接合性的镀金膜。

用于解决课题的手段

本发明人进行反复研究的结果发现，通过在含有二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、微量的结晶调节剂、导电盐，和缓冲剂，且pH为3.5～8.5的镀金浴中配合

(1)含有亚硫酸的碱盐、亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂，或

(2)所述析出促进剂和乙二胺四乙酸盐，

可解决上述课题。而且发现，在阴极电流密度为0.01～1.5A/dm²的范围内，该镀金浴的阴极电流效率及均匀电镀性高、且形成膜表面平滑的镀金膜。发现该镀金膜具有与使用现有的氰系电解镀金浴形成的镀金膜同等的引线结合性、焊球接合性。

本发明人根据以上发现，从而完成了本发明。

解决上述课题的本发明是下面记载的发明。

〔1〕、一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：

以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、

结晶调节剂、

导电盐、

缓冲剂、和

以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂。

本镀金浴中所含有的亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐吸附在阴极的镀敷面，作为增加金配位离子的还原析出反应的活性点的析出促进剂发挥作用。其结果，可认为即使在阴极极限电流密度上升，且镀浴中的金浓度低的情况下，也可维持高的阴极电流效率。

另一方面，认为配合超过18g/L的亚硫酸的碱盐或亚硫酸的铵盐时，自身授受质子，作为析出抑制剂发挥作用，因此，需要注意。

〔2〕、一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：

以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、

结晶调节剂、

导电盐、

缓冲剂、