[发明专利]制造掺杂型或非掺杂型ZnO材料的方法及所述材料无效

专利信息
申请号: 201180010939.0 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102781838A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: E·J·P·法兰西斯;G·古斯曼;P·马鲁达哈查兰 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: C01G9/00 分类号: C01G9/00;C01G9/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 沙永生
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制造 掺杂 zno 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种制造不含掺杂元素的ZnO材料或者含至少一种掺杂元素的ZnO基材料的方法,其特征在于,它包括:

a)混合ZnO、至少一种掺杂元素的氧化物(若存在的话)和至少一种固体成孔剂的粉末,得到混合物,其中所述至少一种固体成孔剂适合产生开放孔隙,它相对于ZnO和所述至少一种掺杂元素的氧化物(若存在的话)的使用比例至少为5重量%,其平均尺寸至少为10μm,

b)使所述混合物成形,得到成形生坯体,

c)对所述成形生坯体进行热处理,得到具有开放孔隙的多孔烧结体,以及

d)在惰性或还原性气氛中对所述多孔烧结体进行退火。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述混合物包含至少一种掺杂元素的氧化物,所述至少一种掺杂元素相对于Zn的比例最高达10原子%,更佳的是0.1-10原子%。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述混合物包含至少一种掺杂元素的氧化物,所述氧化物选自下组:Al,Ce,B,Zr,Ti,Ni,Sn,Fe,Ge,Ga,Mn及其组合的氧化物。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述混合物包含Al2O3和至少一种其他掺杂元素的氧化物,所述至少一种其他掺杂元素的氧化物较佳的是选自下组:Ce,B,Zr,Ti,Ni,Sn,Fe,Ge,Ga,Mn及其组合的氧化物。

5.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,所述混合物包含Al2O3和CeO2或者Al2O3和Ga2O3

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述至少一种固体成孔剂相对于ZnO和所述至少一种掺杂元素的氧化物(若存在的话)的使用比例为8-70重量%,更佳的是8-50重量%。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法,其特征在于,所述至少一种固体成孔剂的平均尺寸在10-500μm之间,更佳的是在20-200μm之间。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其特征在于,用马铃薯淀粉或(和)石墨作为成孔剂。

9.如权利要求1-8中任一项所述的方法,其特征在于,所述退火在N2,Ar或/和H2气氛中进行。

10.如权利要求1-9中任一项所述的方法,其特征在于,所述退火在高于600℃、更佳的是高于750℃的温度下进行。

11.一种不含掺杂元素的ZnO材料或者含至少一种掺杂元素的ZnO基材料,可通过如权利要求1-10中任一项所述的方法得到。

12.如权利要求11所述的材料,其特征在于,它具有至少10体积%的开放孔隙,孔的平均尺寸至少为10μm,它欠缺氧且/或氧重新分布。

13.如权利要求11或12所述的材料,其特征在于,它具有孔的平均尺寸在10-500μm之间、更佳的是在20-200μm之间的开放孔隙,并且/或者,优选并且,具有10-70体积%、更佳的是20-50体积%的开放孔隙率。

14.如权利要求11-13中任一项所述的材料,其特征在于,所述材料作为n型热电材料。

15.一种不含掺杂元素的ZnO材料或者含至少一种掺杂元素的ZnO基材料,其特征在于,它具有至少10体积%的开放孔隙率和平均尺寸至少为10μm的孔。

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