[发明专利]用于写入到多端口存储器电路的系统及方法有效

专利信息
申请号: 201180012327.5 申请日: 2011-02-04
公开(公告)号: CN102782761A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 海宁·杨;王忠泽;郑昌镐 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C8/16 分类号: G11C8/16;G11C11/412
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 写入 多端 存储器 电路 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种多端口随机存取存储器RAM电路,其包含:

数据输入线,其耦合到多个位线及多个位线条;

多个字线;

存储器单元,其耦合到所述多个位线、多个位线条及多个字线;及

控制器,其启用所述多个字线以经由所述多个位线及多个位线条将值从所述数据输入线写入到所述存储器单元。

2.根据权利要求1所述的多端口RAM电路,其进一步包含:

与所述多个位线及多个位线条通信的多个写入列地址通过门,其中所述控制器启用所述多个写入列地址通过门以写入所述值。

3.根据权利要求2所述的多端口RAM电路,其中所述控制器大体上同时启用所述字线中的至少两者且大体上同时启用所述写入列地址通过门中的至少两者。

4.根据权利要求1所述的多端口RAM电路,其中所述存储器单元包括第一类型的晶体管及第二类型的晶体管,另外其中所述第一类型的晶体管的驱动电流与所述第二类型的晶体管的驱动电流的比率在1.5与2之间。

5.根据权利要求4所述的多端口RAM电路,其中所述第一类型的晶体管包含N型场效晶体管NFET,且所述第二类型的晶体管包含P型场效晶体管PFET。

6.根据权利要求1所述的多端口RAM电路,其并入到选自由以下各项组成的群组的装置中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机。

7.根据权利要求1所述的多端口RAM电路,其中所述多端口RAM电路集成到半导体裸片中。

8.根据权利要求1所述的多端口RAM电路,其中所述数据输入线、所述多个位线、所述多个位线条、所述多个字线及所述存储器单元集成到具有多个额外存储器单元的存储器阵列中。

9.一种将值写入到多端口随机存取存储器RAM电路的方法,其中所述多端口RAM电路包括与多个位线通信的数据输入线、与所述多个位线通信的存储器单元,及与所述存储器单元通信的多个字线,所述方法包含:

接收所述数据输入线上的所述值;及

启用所述多个字线以使用所述多个位线将所述值从所述数据输入线写入到所述存储器单元。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述多端口RAM电路包括与所述数据输入线及所述存储器单元通信的多个位线条,及与所述多个位线及多个位线条通信的多个写入列地址通过门,所述方法进一步包含:

与启用所述多个字线大体上同时启用所述多个列地址通过门。

11.根据权利要求9所述的方法,其进一步包含:

使用所述多端口RAM电路的多个分离的数据输出线来执行多个读取操作。

12.根据权利要求9所述的方法,其中所述多端口RAM电路被并入到选自由以下各项组成的群组的装置中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机。

13.根据权利要求9所述的方法,其进一步包含将所述多端口RAM电路集成到半导体裸片中。

14.一种将值写入到多端口随机存取存储器RAM电路的方法,其中所述多端口RAM电路包括与多个位线通信的数据输入线、与所述多个位线通信的存储器单元,及与所述存储器单元通信的多个字线,所述方法包含以下步骤:

接收所述数据输入线上的所述值;及

启用所述多个字线以使用所述多个位线将所述值从所述数据输入线写入到所述存储器单元。

15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包含将所述多端口RAM电路集成到半导体裸片中。

16.根据权利要求14所述的方法,其中所述多端口RAM电路被并入到选自由以下各项组成的群组的装置中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机。

17.根据权利要求14所述的方法,其中所述多端口RAM电路包括与所述数据输入线及所述存储器单元通信的多个位线条,及与所述多个位线及多个位线条通信的多个写入列地址通过门,所述方法进一步包含以下步骤:

与启用所述多个字线大体上同时启用所述多个列地址通过门。

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