[发明专利]存储器中的参考单元写入操作无效

专利信息
申请号: 201180015331.7 申请日: 2011-03-25
公开(公告)号: CN102822898A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 金正丕;哈利·M·拉奥;李霞 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C8/10 分类号: G11C8/10;G11C11/16;G11C13/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 存储器 中的 参考 单元 写入 操作
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器,其包括:

多个存储器单元;

用以将逻辑1值写入到第一参考单元的第一写入电路;

用以将逻辑0值写入到第二参考单元的第二写入电路;

列解码电路;

行解码电路;

其中所述参考单元中的每一者可基于所述行解码电路和所述列解码电路的输出而经选择以用于写入操作。

2.根据权利要求1所述的存储器,其中所述多个存储器单元中的每一者包括基于电阻的存储器元件。

3.根据权利要求2所述的存储器,其中所述多个存储器单元中的每一者包括磁阻随机存取存储器MRAM电路、相变随机存取存储器PRAM电路,或自旋力矩转移MRAM STT-MRAM电路。

4.根据权利要求1所述的存储器,其中所述参考单元中的每一者邻近于所述参考单元中的另一者而定位。

5.根据权利要求1所述的存储器,其进一步包括读出放大器,所述读出放大器经配置以将存储器单元的数据值与基于所述第一参考单元和所述第二参考单元的参考数据值进行比较。

6.根据权利要求5所述的存储器,其中所述参考数据值对应于参考电压,所述参考电压小于与所述第一参考单元相关联的所述逻辑1值的第一电压且大于与所述第二参考单元相关联的所述逻辑0值的第二电压。

7.根据权利要求1所述的存储器,其被集成在至少一个半导体裸片中。

8.根据权利要求1所述的存储器,其进一步包括选自由以下各项组成的群组的装置:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机,所述存储器集成到所述装置中。

9.一种非易失性存储器,其包括:

存储器阵列,其包括多个存储器单元和参考线,所述参考线中的至少一者与参考单元相关联,所述参考单元可响应于接收到写入命令且在不需要专用参考单元写入命令的情况下与所述存储器阵列中的所述多个存储器单元中的一者的写入操作同时地编程。

10.根据权利要求9所述的存储器,其进一步包括耦合到所述参考单元的列解码电路,其中所述参考单元可至少部分基于所述列解码电路的输出而经选择以用于写入操作。

11.根据权利要求9所述的存储器,其进一步包括读出放大器,所述读出放大器经配置以将所述多个存储器单元中的一者的数据值与基于第一参考单元和第二参考单元的参考数据值进行比较。

12.根据权利要求11所述的存储器,其中所述第一参考单元与逻辑1值相关联,且所述第二参考单元与逻辑0值相关联。

13.根据权利要求12所述的存储器,其中所述参考数据值对应于参考电压,其中所述参考电压小于对应于与所述第一参考单元相关联的所述逻辑1值的第一电压且大于对应于与所述第二参考单元相关联的所述逻辑0值的第二电压。

14.根据权利要求13所述的存储器,其中所述存储器单元中的每一者包括基于电阻的存储器元件,且其中所述参考单元中的每一者包括基于电阻的存储器元件。

15.根据权利要求14所述的存储器,其中所述基于电阻的存储器元件中的每一者包括自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM的磁性隧道结MTJ元件。

16.根据权利要求9所述的存储器,其进一步包括四个参考单元,所述四个参考单元中的每一者与两个参考线相关联,其中所述四个参考单元中的每一者邻近于所述参考单元中的另一者而定位。

17.根据权利要求9所述的存储器,其被集成在至少一个半导体裸片中。

18.根据权利要求9所述的存储器,其进一步包括选自由以下各项组成的群组的装置:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机,所述存储器集成到所述装置中。

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