[发明专利]发射辐射的半导体器件

权利要求书

1.发射辐射的半导体器件，具有

－芯片连接区（3），

－发射辐射的半导体芯片（1），

－以及光吸收材料（4），其中

－发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，

－芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）掩盖的位置处用光吸收材料（4）覆盖，以及

－发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。

2.根据上述权利要求所述的发射辐射的半导体器件，具有

－具有芯片安装面（10a）的壳体（10），其中

－芯片连接区（3）和/或导线连接区（2）被布置在芯片安装面（10a）处，以及

－芯片安装面（10a）局部地没有光吸收材料（4）。

3.根据上述权利要求所述的发射辐射的半导体器件，其中，芯片安装面（10a）以与光吸收材料（4）相同的颜色或以类似的颜色构造。

4.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，具有

－导线连接区（2），以及

－导线（12），其将导线连接区（2）与发射辐射的半导体芯片（1）导电连接，其中

－导线连接区（2）在其没有被导线（12）掩盖的位置处用光吸收材料（4）覆盖。

5.根据权利要求之一1或4所述的发射辐射的半导体器件，具有

－具有芯片安装面（10a）的壳体（10），其中

－芯片连接区（3）和/或导线连接区（2）被布置在芯片安装面（10a）处，以及

－芯片安装面（10a）完全由光吸收物覆盖。

6.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，具有

－可透光的浇注材料（5），其中

－浇注材料（5）基本上没有光吸收材料（4），以及

－浇注材料（5）局部地与发射辐射的半导体芯片（1）和光吸收材料（4）邻接。

7.根据上述权利要求所述的发射辐射的半导体器件，其中，浇注材料（5）局部地与芯片安装面（10a）邻接。

8.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，其中浇注材料（5）被构造为透明的。

9.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，其中浇注材料（5）用发光材料和/或漫射体填充。

10.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，其中壳体（10）和光吸收材料（4）以相同的颜色来构造。

11.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，其中芯片连接区（3）和/或导线连接区（2）用金属、尤其用银构成。

12.根据权利要求11所述的发射辐射的半导体器件，其中光吸收材料（4）阻碍金属或银的迁移和/或氧化和/或腐蚀。

13.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，其中光吸收材料（4）借助于喷射过程来施加。

14.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，其中光吸收材料（4）包括硅酮，在所述硅酮中引入吸收光的粒子。

显示装置，其中显示装置的至少一个图像点至少部分地通过根据上述权利要求之一的发射辐射的半导体器件来构成。