[发明专利]发射辐射的半导体器件

说明书

说明了一种发射辐射的半导体器件。

要解决的任务在于，说明一种发射辐射的半导体器件，其特别是可以多侧地被使用。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件包括芯片连接区。该芯片连接区是被设置用于在芯片连接区上安装至少一个发射辐射的半导体芯片的区域。例如，芯片连接区用金属化结构或金属体构成。尤其是，芯片连接区具有比发射辐射的半导体器件的围绕所述芯片连接区的区域大的对于可见光的反射性。

按照一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括发射辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体芯片是在运行中发射在红外辐射和UV辐射之间的波长范围中的电磁辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体芯片在运行中例如辐射出可见光。发射辐射的半导体芯片例如是辉光二极管芯片，也即是激光二极管芯片或发光二极管芯片。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括光吸收材料。光吸收材料被设置用于吸收在可见范围中投射到该光吸收材料上的电磁辐射的至少一部分。在可见范围中的、射到光吸收材料的外面上的光的最高25％例如被反射或再发射。优选在可见范围中投射的光的最高15％、特别优选最高5％被返回投射。光吸收材料例如被构造为黑色的。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体芯片固定在芯片连接区处。发射辐射的半导体芯片在此也可以在芯片连接区处电接触。此外可能的是，在芯片连接区上固定多个发射辐射的半导体芯片。芯片连接区的基面优选被如此选择，使得所述一个发射辐射的半导体芯片或多个发射辐射的半导体芯片总地具有小于基面的横截面，从而该一个或多个发射辐射的半导体芯片不完全覆盖芯片连接区。这尤其是被证明为有利的，因为通过这种方式可以以一定的容差将发射辐射的半导体芯片放置在芯片连接区上。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，芯片连接区在其未被发射辐射的半导体芯片掩盖的位置处用光吸收材料覆盖。也即，芯片连接区的由于发射辐射的半导体芯片没有覆盖它们而会暴露的区域部分或完全地用光吸收材料覆盖。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体芯片局部地没有光吸收材料。也即，发射辐射的半导体芯片不是完全被光吸收材料覆盖，而是例如至少发射辐射的半导体芯片的背离芯片连接区的表面保持完全或部分无光吸收材料。例如，光吸收材料在发射辐射的半导体芯片的侧面可以直接与其邻接。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括芯片连接区、固定在芯片连接区处的发射辐射的半导体芯片和光吸收材料，该光吸收材料在芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片掩盖的位置处覆盖芯片连接区，其中发射辐射的半导体芯片局部地没有光吸收材料。

尤其可能的是，在芯片被固定在芯片连接区处之后，光吸收材料被施加到芯片连接区上。例如芯片的侧面因此可以被光吸收材料覆盖。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括导线连接区。该导线连接区例如用金属化结构或金属体构成。尤其是，导线连接区通过其对可见光的较高反射性而与围绕其的材料区别开。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括导线，其将导线连接区与发射辐射的半导体芯片导电连接。例如发射辐射的半导体芯片于是一方面通过芯片连接区并且另一方面通过该导线被导电接触。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，导线连接区在其没有被导线掩盖的位置处用光吸收材料覆盖。也即，例如，导线连接区的在无光吸收材料情况下自由可达的并且反射光的光反射区用光吸收材料覆盖。在此，可能的是，导线的部分也用光吸收材料覆盖。在极端情况下，整个导线可以用光吸收材料覆盖。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括唯一的芯片连接区、唯一的发射辐射的半导体芯片和唯一的导线连接区。发射辐射的半导体芯片于是可以是例如发射红外辐射、彩色可见光或白光的发射辐射的半导体芯片。

按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括两个芯片连接区、一个唯一的发射辐射的半导体芯片并且不包括导线连接区。发射辐射的半导体芯片于是可以是例如发射红外辐射、有色可见光或白光的发射辐射的半导体芯片。