[发明专利]显示装置和显示装置用阵列基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 201180015411.2 申请日: 2011-03-18
公开(公告)号: CN102822884A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 镰田豪;青森繁;井出哲也;大桥诚二;胜田升平 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/786
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示装置 阵列 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,具备:

第1基板;

第2基板,其以与上述第1基板相对的方式配置;

显示介质层,其设于上述第1基板与上述第2基板之间;

条状的多个数据电极,其形成于上述第1基板,在列方向延伸;

多条扫描线和多条基准信号线,其形成于上述第2基板,在行方向延伸;

多个像素电极,其形成于上述第2基板,呈矩阵状配置;

多个开关元件,其形成于上述第2基板,由上述多条扫描线控制导通/截止,且设于上述多条基准信号线与上述多个像素电极之间;以及

氧化物半导体层,其设于源极电极与漏极电极之间,

隔着绝缘层使栅极电极靠近配置于上述氧化物半导体层而形成上述开关元件,

与上述源极电极或者上述漏极电极连接地设有上述像素电极,

上述像素电极所连接的上述源极电极或者上述漏极电极包含与上述像素电极相同的材料,

上述源极电极和上述漏极电极包含同时形成的膜。

2.根据权利要求1所述的显示装置,

扫描上述扫描线而进行沿着对应的扫描线设置的上述开关元件的导通/截止控制,

通过导通状态的开关元件从上述基准信号线对上述像素电极施加基准信号电压,

向上述多个数据电极输入各自对应的数据信号,控制介于被施加了电压的像素电极与数据电极之间的上述显示介质层的分子取向或者发光率来进行显示。

3.根据权利要求1所述的显示装置,

上述像素电极、上述漏极电极以及上述源极电极包含铟镓锌氧化物的还原物质。

4.根据权利要求1所述的显示装置,

上述像素电极、上述漏极电极和上述源极电极以及这些电极与上述基准信号线的连接线均包含铟镓锌氧化物的还原物质,

上述氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物。

5.根据权利要求1所述的显示装置,

附设有发光二极管背光源。

6.根据权利要求1所述的显示装置,

上述基准信号线和连接到该基准信号线的上述开关元件的源极电极或者漏极电极以及上述像素电极和连接到该像素电极的上述开关元件的漏极电极或者源极电极均包含透明导电膜,

介于上述源极电极与上述漏极电极之间的上述氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物。

7.根据权利要求6所述的显示装置,

上述多条基准信号线和连接到上述多条基准信号线的上述开关元件的源极电极或者漏极电极以及上述像素电极和连接到该像素电极的上述开关元件的漏极电极或者源极电极均形成于上述第2基板上,

覆盖上述源极电极以及上述漏极电极和介于上述源极电极以及上述漏极电极之间的上述氧化物半导体层而形成有绝缘膜,

在上述绝缘膜上形成有栅极电极。

8.根据权利要求6所述的显示装置,

具备上述栅极电极的扫描线和上述基准信号线形成于上述第2基板上,

覆盖上述扫描线和上述基准信号线而形成有绝缘膜,

在上述绝缘膜上且在上述栅极电极上形成有氧化物半导体层,

在上述绝缘膜上形成有源极电极和漏极电极、以及与该源极电极和漏极电极中的任一方连接的像素电极。

9.根据权利要求6所述的显示装置,

具备上述栅极电极的扫描线和上述基准信号线形成于上述第2基板上,

覆盖上述扫描线和上述基准信号线而形成有绝缘膜,

在上述绝缘膜上且在上述栅极电极上形成有氧化物半导体层,

在上述绝缘膜上形成有源极电极和漏极电极、以及与该源极电极和漏极电极中的任一方连接的像素电极,

上述氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物,

上述像素电极、源极电极以及漏极电极包含铟镓锌氧化物的还原物质。

10.一种阵列基板的制造方法,

在以与第1基板相对的方式配置的第2基板上使用透明导电材料形成基准信号线和连接到该基准信号线的源极电极或者漏极电极以及像素电极和连接到该像素电极的漏极电极或者源极电极,

以连接到上述源极电极和上述漏极电极的方式形成氧化物半导体层,

在上述氧化物半导体层上形成绝缘膜,

以栅极电极位于上述源极电极与上述漏极电极间的绝缘膜上的方式在上述第2基板上形成具备栅极电极的扫描线。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180015411.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top