[发明专利]电路基板、半导体装置、电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种电路基板，具备：

第一绝缘层，贯通有导体，

第一电路层，设置在所述第一绝缘层的一侧，与所述导体连接，

第二绝缘层，覆盖所述第一电路层并且在所述第一电路层的一部分上形成有开口，

第二电路层，设置在所述第一绝缘层的另一侧，与所述导体连接，

第三绝缘层，覆盖所述第二电路层，

焊料层，设置在所述第二绝缘层的开口内、且设置在所述第一电路层上；

所述第一绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数A为3ppm/℃～30ppm/℃，

所述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数B与所述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数C相等，

所述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数B和所述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数C大于所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A，

所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A与所述第二绝缘层的平均线膨胀系数B的差、所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A与所述第三绝缘层的平均线膨胀系数C的差为5ppm/℃～35ppm/℃。

2.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层由相同的树脂组合物形成。

3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，包含具有助熔剂功能的化合物的树脂层覆盖所述第二绝缘层并且设置在所述焊料层上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电路基板，其中，所述第二绝缘层的平均线膨胀系数B和所述第三绝缘层的平均线膨胀系数C各自为20ppm/℃～40ppm/℃。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电路基板，其中，所述第一绝缘层含有：

（a）酚醛清漆型环氧树脂、

（b）固化剂、

（c）无机填充材料。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的电路基板，其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层各自含有：

（d）多官能氰酸酯树脂、

（e）具有稠环芳香族烃结构的酚醛清漆型环氧树脂、

（f）具有下述通式（1）表示的双酚苯乙酮结构的苯氧基树脂、

（g）无机填充材料，

式中，R₁彼此相同或不同，是选自氢原子、碳原子数为1～10的烃基和卤素元素中的基团，R₂是选自氢原子、碳原子数为1～10的烃基和卤素元素中的基团，R₃是氢原子或碳原子数为1～10的烃基，m是0～5的整数。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的电路基板，其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层各自含有感光性树脂。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的电路基板，其中，所述第一绝缘层是使绝缘性的树脂含浸于无机基材而得到的，

所述第二绝缘层、第三绝缘层不含有无机基材。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的电路基板，其中，所述第二绝缘层的厚度T1与所述第三绝缘层的厚度T2的比、即T1/T2为1以上。

10.一种半导体装置，具有：

电路基板部，是将权利要求1～9中任一项所述的电路基板进行分割而得到的，

半导体芯片，层叠在该电路基板部上，从所述电路基板部的基板面侧观察是与所述电路基板部大致相同的尺寸；

所述电路基板部的侧面和所述半导体芯片的侧面形成为同平面。