[发明专利]电路基板、半导体装置、电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电路基板、半导体装置、电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，提出了各种基板作为搭载半导体芯片等的基板。例如，提出了内插基板（インタ一ポ一ザ基板）等（参照专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平10-321990号公报

发明内容

近年来，实施了如下制造方法，即，形成大型电路基板后，载置多个半导体芯片，其后将电路基板进行切割，得到单个半导体装置。这种制造方法中，存在电路基板容易发生翘曲的课题。特别是在电路基板上搭载半导体芯片时，加热电路基板和半导体芯片，将设置在电路基板的焊料层和半导体芯片的金属层进行焊接接合。其后冷却。此时，电路基板发生翘曲。

根据本发明，提供一种电路基板，具备：

第一绝缘层，贯通有导体，

第一电路层，设置在上述第一绝缘层的一侧，与上述导体连接，

第二绝缘层，覆盖上述第一电路层并且在上述第一电路层的一部分上形成开口，

第二电路层，设置在上述第一绝缘层的另一侧，与上述导体连接，

第三绝缘层，覆盖第二电路层，

焊料层，设置在上述第二绝缘层的开口内并设置在上述第一电路层上；

上述第一绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（A）为3ppm/℃～30ppm/℃，

上述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（B）与上述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（C）相等，

上述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（B）和上述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（C）大于上述第一绝缘层的平均线膨胀系数（A），

上述第一绝缘层的上述平均线膨胀系数（A）与上述第二绝缘层的平均线膨胀系数（B）的差、上述第一绝缘层的上述平均线膨胀系数（A）与上述第三绝缘层的平均线膨胀系数（C）的差为5ppm/℃～35ppm/℃。

根据该发明，通过使第一绝缘层的平均线膨胀系数（A）为30ppm/℃以下，从而能够抑制在第一绝缘层发生的翘曲。

进而，以夹持第一绝缘层的方式设置平均线膨胀系数比第一绝缘层大规定量左右、且平均线膨胀系数彼此相等的第二绝缘层和第三绝缘层，由此能够可靠地抑制电路基板发生翘曲。

另外，根据本发明，还提供一种半导体装置，具有：

电路基板部，是将上述电路基板进行分割而得到的，

半导体芯片，层叠在该电路基板部上，从上述电路基板部的基板面侧观察是与上述电路基板部大致相同的尺寸；

上述电路基板部的侧面与上述半导体芯片的侧面形成为同平面。

另外，根据本发明，还提供一种电路基板的制造方法，包括：

准备第一绝缘层的工序，该第一绝缘层内部贯通有导体，并且在一侧的面上设置与上述导体连接的第一电路层，在另一侧的面上设置与上述导体连接的第二电路层，

设置覆盖上述第一电路层的第二绝缘层的工序，

设置覆盖上述第二电路层的第三绝缘层的工序，

在上述第二绝缘层形成露出上述第一电路层的一部分的开口的工序，和

在上述开口内设置焊料层的工序；

第一绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（A）为3ppm/℃～30ppm/℃，

上述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（B）与上述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（C）相等，

第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（B）和第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（C）大于上述第一绝缘层的平均线膨胀系数（A），

上述第一绝缘层的上述平均线膨胀系数（A）与上述第二绝缘层的平均线膨胀系数（B）的差、上述第一绝缘层的上述平均线膨胀系数（A）与第三绝缘层的平均线膨胀系数（C）的差为5ppm/℃～35ppm/℃。

另外，根据本发明，还提供一种电路基板的制造方法，在上述电路基板的制造方法中，包括覆盖上述第二绝缘层并且在上述焊料层上设置含有具有助熔剂功能的化合物的树脂层的工序。

另外，提供一种半导体装置的制造方法，包含上述电路基板的制造方法，还包括：