[发明专利]半导体器件及方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

MOS晶体管，所述MOS晶体管具有源极、漏极和栅门；

有条件浮动埋层，所述有条件浮动埋层位于所述MOS晶体管下面；以及

具有断开阈值Vt的常开开关，所述常开开关被调整为在导通状态时将所述有条件浮动埋层耦合于所述源极和漏极中的一个,以及在断开状态时使所述埋层相对于所述源极和漏极中的一个浮动。

2.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述常开开关是结型场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中当适当偏置时，所述MOS晶体管被调整为具有第一导电通道，以及所述结型场效应晶体管被调整为具有第二导电通道，所述第二导电通道横向分离于所述第一导电通道。

4.根据权利要求2所述的电子器件，其中当适当偏置时，所述MOS晶体管被调整为具有第一导电通道，以及所述结型场效应晶体管被调整为具有第二导电通道，所述第二导电通道至少部分位于所述第一导电通道下面。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述MOS晶体管是N-沟道晶体管并且所述埋层是N类型。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述MOS晶体管是P-沟道晶体管并且所述埋层是N类型。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述MOS晶体管是LDMOS晶体管。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述MOS晶体管是被调整为具有第一导电通道的LDMOS晶体管，并且所述常开开关是被调整为具有第二导电通道的结型场效应晶体管，并且所述第一导电通道和第二导电通道基本上正交。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述MOS晶体管是被调整为具有第一导电通道的LDMOS晶体管，并且所述常开开关是被调整为具有第二导电通道的结型场效应晶体管，并且所述第一导电通道和第二导电通道基本上平行。

10.一种具有源极区及漏极区的LDMOS晶体管，包括：

埋SC层区；

深层SC区，所述深层SC区覆盖所述埋层区并且具有上表面；

MOSFET，所述MOSFET形成在所述深层SC区，其中所述MOSFET包括：

体区，所述体区包括所述LDMOS晶体管的所述源极区，以及

载流子漂移区，所述载流子漂移区横向分离于所述体区并且包括所述LDMOS晶体管的所述漏极区；以及

常开结型场效应晶体管，所述常开结型场效应晶体管被调整为具有阈值电压|Vt|>0，耦合于所述埋层与所述源极区和漏极区其中之一之间。

11.根据权利要求10所述的LDMOS晶体管，其中所述MOSFET是N-沟道MOSFET并且所述埋层是N类型。

12.根据权利要求10所述的LDMOS晶体管，其中所述MOSFET是P-沟道MOSFET并且所述埋层是N类型。

13.根据权利要求10所述的LDMOS晶体管，其中0.1≤|Vt|≤10伏特。

14.根据权利要求13所述的LDMOS晶体管，其中0.5≤|Vt|≤5伏特。

15.根据权利要求10所述的LDMOS晶体管，其中结型场效应晶体管的沟道区具有与所述漂移区相同的导电类型。