[发明专利]沉积敷形氮化硼膜

权利要求书

1.一种形成绝缘层的方法，包括：

在等离子体处理腔中接收衬底；

通过工艺形成氮化硼或者硼碳氮化物膜，所述工艺包括，

在所述衬底上化学气相沉积含硼膜，所述沉积的至少一部分不用等离子体执行；以及，

使所沉积的所述含硼膜暴露在等离子体中。

2.如权利要求1所述的方法，其中，重复所述沉积和处理操作至少一次。

3.如权利要求1所述的方法，其中，重复所述沉积和处理操作多次。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积膜足够薄以使所述等离子体完全穿透，从而实现所述膜的致密化。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积膜为不超过厚。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积膜为大约厚。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层为至少80%是敷形的。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层为氮化硼层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层为硼碳氮化物层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体曝光在含氮类物存在时执行。

11.如权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述膜之前，在所述衬底上形成晶核层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述晶核层包括氮化硅。

13.如权利要求1所述的方法，还包括，在沉积所述膜之前，预处理所述衬底以增强所述膜的粘附性。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述预处理包括暴露所述衬底在氨等离子体中。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述膜的形成包括在不用等离子体时使用硼氢化物或者有机硼烷前驱体化学气相沉积，随后暴露所沉积的所述膜在含氮等离子体中。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述含氮等离子体是氨等离子体。

17.如权利要求15所述的方法，其中，所述等离子体还包括惰性气体。

18.如权利要求15所述的方法，其中，所述等离子体还包括碳氢化物。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述前驱体为硼氢化物。

20.如权利要求1所述的方法，其中，在所述膜的沉积操作的至少一部分的期间硼氢化物或者有机硼烷含硼膜前驱体和含氮类物在所述腔中一起存在。

21.如权利要求20所述的方法，其中，所述化学气相沉积和等离子体曝光是在硼氢化物或者有机硼烷前驱体和含氮类物存在时通过脉冲等离子体开启和关闭来实施的。

22.如权利要求20所述的方法，其中，让硼反应剂流进所述处理腔，使得当所述等离子体关闭时只有含硼前驱体存在。

23.如权利要求20所述的方法，其中，所述膜前驱体为乙硼烷。

24.如权利要求20所述的方法，其中，所述膜前驱体为有机硼烷。

25.如权利要求24所述的方法，还包括在足够分解所述前驱体为金属化硼的温度下暴露所述前驱体到所述衬底。

26.如权利要求25所述的方法，其中，所述温度为约200到400℃。

27.如权利要求1所述的方法，其中，所述膜的形成包括使用硼、氢和含氮类物前驱体而不用等离子体的化学气相沉积，随后曝露所述沉积膜在等离子体中。

28.如权利要求1所述的方法，还包括通过灰化从所述衬底去除所述绝缘层。

29.如权利要求28所述的方法，其中，所述灰化是用氢等离子体执行的。

30.如权利要求3所述的方法，其中，所述绝缘层具有约50到的厚度。

31.一种半导体处理装置，其包括：

等离子体处理腔室；以及，

控制器，其包括用于执行权利要求1所述的方法的编程指令。