[发明专利]光半导体集成元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光半导体集成元件，其特征在于，

其含有在基板的（001）面上方形成的第1光半导体元件、和在前述基板的（001）面上方且在前述第1光半导体元件的[110]方向上与前述第1光半导体元件光学连接地形成的第2光半导体元件，

并且，前述第1光半导体元件，含有第1芯层、和在前述第1芯层上方形成且在前述第2光半导体元件侧的侧面上具有与（001）面构成的角度为55°以上且90°以下的第1结晶面的第1覆层。

2.如权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述第1结晶面至少含有（110）面。

3.如权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述第1结晶面含有（110）面、和与（001）面构成的角度为55°以上且不满90°的B面方位的结晶面。

4.如权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述第1芯层在所述第2光半导体元件侧的侧面上具有A面方位的第2结晶面。

5.如权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述第1覆层的所述第2光半导体元件侧的端部，覆盖所述第1芯层的所述第2光半导体元件侧的侧面的一部分。

6.如权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述第1覆层的所述第2光半导体元件侧的端部，覆盖所述第1芯层的所述第2光半导体元件侧的侧面的全体。

7.如权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述第2光半导体元件，含有与所述第1芯层光学连接的第2芯层、和在所述第2芯层上方形成的第2覆层，

并且，在所述第1覆层和所述第2覆层之间，形成所述第2芯层的一部分。

8.如权利要求1所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述基板是InP基板，

所述第1芯层含有Al、Ga、In、和As，

所述第1覆层含有In、和P。

9.如权利要求7所述的光半导体集成元件，其特征在于，

所述第2芯层含有Ga、In、As、和Al，或含有Ga、In、As、和P，

所述第2覆层含有In、和P。

10.一种光半导体集成元件的制造方法，其特征在于，其包括：

在基板的（001）面上方形成第1芯层的工序；

在所述第1芯层上方形成第1覆层的工序；

保留在第1区域上形成的所述第1芯层和所述第1覆层，蚀刻在所述第1区域的[110]方向上的第2区域上形成的所述第1芯层和所述第1覆层的工序；

在所述第1区域上保留的所述第1覆层的所述第2区域侧的侧面上，形成与（001）面构成的角度为55°以上且90°以下的第1结晶面的工序；及

在所述第2区域上形成半导体层的工序。

11.如权利要求10所述的光半导体集成元件的制造方法，其特征在于，

所述形成第1结晶面的工序，包括对所述第1区域上保留的所述第1覆层进行热处理的工序。

12.如权利要求11所述的光半导体集成元件的制造方法，其特征在于，

通过所述热处理，在所述第1区域上保留的所述第1覆层的所述第2区域侧的侧面上，至少表露出（110）面。

13.如权利要求10所述的光半导体集成元件的制造方法，其特征在于，

蚀刻在所述第2区域上形成的所述第1芯层和所述第1覆层的工序，包括分别在所述第1区域侧对所述第1芯层和所述第1覆层进行侧蚀刻的工序。

14.如权利要求10所述的光半导体集成元件的制造方法，其特征在于，

所述形成半导体层的工序，包括：形成与所述第1芯层光学连接的第2芯层的工序；及在所述第2芯层上方形成第2覆层的工序。