[发明专利]光半导体集成元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光半导体集成元件及其制造方法。

背景技术

在光纤通信中，将多个光半导体元件集成在单一基板上而成的光半导体集成元件，在光模块的小型化方面，是有效的。

以往，作为如此地将多个光半导体元件集成在单一基板上的方法之一，已知有对接生长（ButtJoint：BJ）的生长方法，其在基板上生长一个光半导体元件结构之后，将其一部分除去，在该除去的部分上选择性地再生长其他的光半导体元件结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-314192号公报

专利文献2：日本特开2008-053501号公报

专利文献3：日本特开2002-217446号公报

专利文献4：日本特开2001-189523号公报

专利文献5：日本特开2007-201072号公报

专利文献6：日本特开2004-273993号公报

专利文献7：日本特开2002-324936号公报

专利文献8：日本特开2002-243946号公报

专利文献9：日本特开2003-174224号公报

发明内容

发明要解决的课题

在如上所述的BJ生长方法中，具有可独立设计各光半导体元件的优点。但是，在使用BJ生长方法形成的光半导体集成元件中，在光半导体元件之间的接合部（BJ部）发生的结晶缺陷或异常生长，导致有时会发生光半导体集成元件的可靠性降低、初期特性劣化的问题。

解决课题的方法

根据本发明的一个观点，提供一种光半导体集成元件，其中，其含有在基板的（001）面上方形成的第1光半导体元件、和在前述基板的（001）面上方且在前述第1光半导体元件的[110]方向上与前述第1光半导体元件光学连接地形成的第2光半导体元件，并且，前述第1光半导体元件含有第1芯层、和在前述第1芯层上方形成且在前述第2光半导体元件侧的侧面上具有与（001）面构成的角度为55°以上且90°以下的第1结晶面的第1覆层（clad player）。

发明的效果

根据上述公开的光半导体集成元件，能够抑制光半导体元件之间的结晶缺陷、异常生长，提高其可靠性及性能。

本发明的上述及其他目的、特征及优点，通过表示作为本发明的实例的优选的实施方式的附图及相关的下述说明，是非常清楚的。

附图说明

图1是表示光半导体集成元件的构成实例的图。

图2是表示光半导体集成元件的形成方法的一个实例的图。

图3是半导体再生长工序的要部剖面示意图（其1）。

图4是半导体再生长工序的要部剖面示意图（其2）。

图5是半导体再生长工序的要部剖面示意图（其3）。

图6是表示光半导体集成元件的另一个构成实例的图。

图7是实施例1的第1半导体生长工序的要部剖面示意图。

图8是实施例1的第1蚀刻工序的要部剖面示意图。

图9是实施例1的第2蚀刻工序的要部剖面示意图。

图10是实施例1的第3蚀刻工序的要部剖面示意图。

图11是实施例1的热处理工序的要部剖面示意图。

图12是实施例1的第2半导体生长工序的要部剖面示意图。

图13是实施例1的第3半导体生长工序的要部剖面示意图。

图14是实施例1的埋入层形成工序的要部剖面示意图。

图15是实施例1的光半导体集成元件的要部剖面示意图。

图16是实施例2的第1半导体生长工序的要部剖面示意图。

图17是实施例2的第1蚀刻工序的要部剖面示意图。

图18是实施例2的第2蚀刻工序的要部剖面示意图。

图19是实施例2的第3蚀刻工序的要部剖面示意图。

图20是实施例2的热处理工序的要部剖面示意图。

图21是实施例2的第2半导体生长工序的要部剖面示意图。

图22是实施例2的光半导体集成元件的要部剖面示意图。

图23是实施例2的热处理工序的另一个实例的要部剖面示意图。

图24是表示另一实施方式的光半导体集成元件的构成实例的图。

图25是表示光半导体模块的构成实例的图。

具体实施方式