[发明专利]成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备有效
| 申请号： | 201180017366.4 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103249766A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 岩屋涉;近藤健;永绳智史 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C23C14/48;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成型 制造 方法 电子 备用 构件 电子设备 | ||
【权利要求书】：
1.成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子而得到的层。
2.权利要求1所述的成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层中，通过等离子体离子注入将烃系化合物的离子注入而得到的层。
3.权利要求1或2所述的成型体，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物是全氢化聚硅氮烷。
4.权利要求1或2所述的成型体，其特征在于，在40℃、相对湿度90％气氛下的水蒸气透过率为0.4g/m2/天以下。
5.权利要求1或2所述的成型体，其特征在于，表面电阻率为1×1014Ω/□以下。
6.权利要求1或2所述的成型体的制造方法，其中，具有下述步骤：在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入烃系化合物的离子。
7.权利要求1或2所述的成型体的制造方法，其中，一边将在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子。
8.电子设备用构件，其包含权利要求1或2所述的成型体。
9.电子设备，其具有权利要求8所述的电子设备用构件。
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