[发明专利]成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件以及具备该电子设备用构件的电子设备。

背景技术

一直以来，塑料薄膜等高分子成型体由于价格低廉、加工性优异，因此可以赋予所需的功能，在各种领域中应用。

例如对于食品、药品的包装用薄膜，为了抑制蛋白质、油脂等的氧化、变质，而保持味道、鲜度，可以使用防止水蒸气、氧的透过的阻气性的塑料薄膜。

另外，近年来，对于液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器，为了实现薄型化、轻量化、挠性化等，人们对于使用透明塑料薄膜代替玻璃板来作为具有电极的基板进行了研究。但是，塑料薄膜与玻璃板相比，存在容易透过水蒸气或氧等，显示器内部的元件容易劣化的问题。

为解决该问题，专利文献1中提出了在透明塑料薄膜上层叠由金属氧化物构成的透明阻气层的挠性显示器基板。

但是，该文献记载的挠性显示器基板由于是在透明塑料薄膜表面上利用蒸镀法、离子镀敷法、溅射法等叠层了由金属氧化物形成的透明阻气层的基板，因此在将该基板卷起或弯折时，存在阻气层产生裂纹，阻气性降低的问题。

另外，专利文献2中公开了在薄膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜，对该聚硅氮烷膜实施等离子体处理，来制造阻气性薄膜的方法。但是，在该方法中，存在如果不使阻气层的厚度为微米级别，就不能得到充分的阻气性能的问题。例如记载了阻气层的厚度为0.1μm时，水蒸气透过率为0.50g/m²/天。

进一步地，为了保护电子部件等易于受到静电障碍的内容物，或者为了防止尘土、尘埃的附着，有赋予抗静电性的要求（专利文献3）。可以说如果表面电阻率为1×10⁸～1×10¹²Ω/□，则具有由接地导致的抗静电性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1 : 日本特开2000－338901号公报

专利文献2 : 日本特开2007－237588号公报

专利文献3 : 日本特开昭62－220330号公报。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术而作出的发明，其目的在于提供阻气性和耐弯折性优异的成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件、和具有该电子设备用构件的电子设备。

本发明人等为解决上述课题进行了深入地研究，结果发现：通过在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子，可以简便且高效地制造目标成型体，从而完成了本发明。

这样根据本发明的第1发明，提供了下述（1）～（5）的成型体。

（1）成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子而得到的层。

（2）如（1）所述的成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层中，通过等离子体离子注入将烃系化合物的离子注入而得到的层。

（3）如（1）或（2）所述的成型体，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物是全氢化聚硅氮烷。

（4）如（1）或（2）所述的成型体，其特征在于，在40℃、相对湿度90％气氛下的水蒸气透过率为0.4g/m²/天以下。

（5）如（1）或（2）所述的成型体，其特征在于，表面电阻率为1×10¹⁴Ω/□以下。

根据本发明的第2发明，提供了下述（6）、（7）的成型体的制造方法。

（6）根据（1）或（2）所述的成型体的制造方法，其中，具有下述步骤：在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入烃系化合物的离子。

（7）根据（1）或（2）所述的成型体的制造方法，其特征在于，一边将在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子。

根据本发明的第3发明，提供了下述（8）的电子设备用构件。

（8）电子设备用构件，其包含（1）或（2）所述的成型体。

根据本发明的第4发明，提供了下述（9）的电子设备。

（9）电子设备，其具有（8）所述的电子设备用构件。

发明的效果

本发明的成型体具有优异的阻气性和耐弯折性。本发明的成型体可以适合用作挠性的显示器、或太阳能电池等的电子设备用构件（例如太阳能电池背板）。