[发明专利]用于有机半导体器件的空穴导电层的掺杂材料及其应用

权利要求书

1.用于有机电子器件的空穴导电层，其中，包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中，所述过渡金属络合物包含中心原子和配位体。

2.根据权利要求1所述的空穴导电层，其中所述中心原子选自下述过渡金属：Cu、Co、Ni、Pd、Pt。

3.根据上述权利要求之一所述的空穴导电层，其中所述配位体优选是二齿的配位体。

4.根据上述权利要求之一所述的空穴导电层，其中所述配位体选自乙酰丙酮（acac）、三氟乙酰丙酮（tfac）、六氟乙酰丙酮（hfac）、双(6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,2-二甲基-3,5-辛二酮酸（fod）、双(2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸（dpm）。

5.根据上述权利要求1至4之一所述的空穴导电层在有机电子器件中的应用。

6.具有掺杂的空穴导电层的有机电子器件，其中掺杂材料包括为单核的且二次平面的过渡金属络合物。

7.根据权利要求6所述的器件，所述器件是自发射的器件。