[发明专利]用于有机半导体器件的空穴导电层的掺杂材料及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及用于在有机电子器件中的空穴注入层的新型的金属有机物材料，其中所述有机电子器件尤其为如有机发光二极管（OLED）或者有机发光电化学池（OLEEC）或者有机场效应晶体管或者有机太阳能电池或者有机光检测器的发光器件。

背景技术

在参考文献中多次说明用于掺杂具有电子受主的有机金属以提高空穴导电层的导电性（例如见G.He，O.Schneider，D.Qin,X.Zhou,M.Pfeiffer和K.Leo,Journal of Applied Physics 95,5773-5777(2004)）。

通过掺杂能够将材料的导电性提高一定数量级。

原则上存在用于空穴运输层的、尤其低成本的掺杂材料的其他需要。

发明内容

本发明的目的是，提供一种使用在空穴导电材料中的其他掺杂材料。

因此，该目的的实现和本发明的主题是实现一种掺杂的空穴导电层以使用在有机电子器件中，所述空穴导电层至少包括空穴导电的基体和二次平面单核过渡金属络合物作为掺杂材料。此外，本发明的目的是提供这种空穴导电层的应用，以及最后提供一种有机电子器件。

根据本发明的实施形式，掺杂材料是具有铜、钯、铂、钴、或者镍原子作为中心原子的二次平面单核过渡金属络合物。

在此，每个下述络合物形式称作为二次平面的，所述络合物形式与根据晶体结构分析的四面体的络合物配置偏差大于通常的测量不精确性。在任何情况下都不限制围绕中心原子的配位体平面的布置。

优选相对于空穴导电的基体具有相对低的LUMO（分子最低未占轨道），因为所述化合物在基体中的特征在于更高的路易斯（Lewis）酸度。因此，在那里掺杂效果尤其显著。

由于二次平面的特性，络合物在总式相同的情况下能够存在于其顺式或者反式。在一般情况下，尤其在小的取代基R的情况下同样良好地掺杂两种同分异构体。下面，仅仅讨论反式同分异构体来代表两种同分异构体。

对于二次平面过渡金属络合物的总体种类的例举是具有铜2+作为中心原子的单核络合物的种类。

为了建立化合物的二次平面特性，优选桥联的或者“二齿”的配位体，例如乙酰丙酮。当然，在铜作为中心原子的情况下比例如在钯作为中心原子的情况更重，因为所述作为中心原子的铜无论如何示出构成二次平面金属络合物的趋势。

通用结构式I

结构式I示出根据本发明的二次平面铜（II）络合物的实例。在总式相同的情况下，络合物能够存在于顺式或者反式。

在结构式I中，桥Y₁或者Y₂彼此独立地由N或者C-R组成，其中R能够是任意的脂肪族或者芳香族取代基，如所述取代基在下面针对R_1a、R_1b、R_2a和R_2b来讨论。

尤其优选的是桥C-H。所述桥应用在全部实施例中。

X₁和X₂能够是彼此无关的O或者N-R，其中R能够代表任意的脂肪族或者芳香族的取代基，如所述取代基稍后例如针对R_1a、R_1b、R_2a和R_2b来讨论。尤其优选的是，X₁、X₂=O。在此，乙酰丙酮络合物借助Y_i＝C-R（i=1和/或2）形成。特别地，所述种类的缺乏电子的代表形成在用于空穴导电材料的在此公开的掺杂材料之内的优选的种类。借助X_i=N-R（i=1和/或2）形成希夫碱络合物（Schiff-Base-Komplexe）。

取代基R_1a、R_1b、R_2a和R_2b能够是彼此独立的氢或者氘、甲基、乙基、广义未支化的、支化的、缩合的（十氢萘基）、环形的（环己基）或者完全或部分取代的烷基残基（C₁-C₂₀）。所述烷基残基能够包含醚基团（乙氧基、甲氧基等）、酯、酰胺、碳酸基基团等还或者尤其是F的卤素。在本发明的范围内，也是取代的或者未取代的脂肪环或者例如环己基的环体系。