[发明专利]n型扩散层形成组成物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法有效
| 申请号： | 201180018428.3 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102834898A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 野尻刚;吉田诚人;冈庭香;町井洋一;岩室光则;足立修一郎;佐藤铁也;木泽桂子 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;C03C8/18;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 形成 组成 制造 方法 太阳能电池 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种n型扩散层形成组成物，其含有玻璃粉末和分散介质，所述玻璃粉末包含施主元素且软化温度为300℃～950℃。
2.如权利要求1所述的n型扩散层形成组成物，其中，所述施主元素为选自P(磷)及Sb(锑)中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的n型扩散层形成组成物，其中，所述包含施主元素的玻璃粉末含有：选自P2O3、P2O5及Sb2O3中的至少一种含施主元素物质；和选自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、CeO2及MoO3中的至少一种玻璃成分物质。
4.如权利要求1～3中任一项所述的n型扩散层形成组成物，其中，所述玻璃粉末的结晶化温度为1050℃以上。
5.一种n型扩散层的制造方法，具有：
涂布权利要求1～4中任一项所述的n型扩散层形成组成物的工序；和
实施热扩散处理的工序。
6.一种太阳能电池元件的制造方法，具有：
在半导体基板上涂布权利要求1～4中任一项所述的n型扩散层形成组成物的工序；
实施热扩散处理，形成n型扩散层的工序；以及
在形成的所述n型扩散层上形成电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
