[发明专利]n型扩散层形成组成物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池元件的n型扩散层形成组成物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法，更详细而言，可以在半导体基板即硅基板的特定部分形成n型扩散层的技术。

背景技术

对现有的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。

首先，为了促进陷光效果实现高效率化，准备形成有纹理(texture)结构的p型硅基板，接着，在三氯氧磷(POCl₃)、氮、氧的混合气体气氛中以800～900℃进行几十分钟的处理，同样地形成n型扩散层。在该现有的方法中，由于使用混合气体，进行磷的扩散，因此，不仅在表面，在侧面、背面也形成n型扩散层。因此，需要用于除去侧面的n型扩散层的侧向蚀刻工序。另外，背面的n型扩散层需要向p⁺型扩散层变换，在背面的n型扩散层上赋予铝糊剂，通过铝的扩散，由n型扩散层变换成p⁺型扩散层。

另一方面，在半导体的制造领域中，如例如日本特开2002-75894号公报中公开所示，提案有通过含有五氧化二磷(P₂O₅)或磷酸二氢铵(NH₄H₂PO₄)等磷酸盐的溶液的涂布形成n型扩散层的方法。但是，在该方法中，由于使用溶液，因此，与使用上述混合气体的气相反应法一样，磷也扩散到侧面及背面，不仅在表面，而且在侧面、背面也形成n型扩散层。

发明内容

发明要解决的课题

如上述，n型扩散层形成时，在使用了三氯氧磷的气相反应中，不仅本来需要成为n型扩散层的一面(通常受光面、表面)，而且在另一面(非受光面、背面)及侧面也形成n型扩散层。另外，在涂布含有磷酸盐的溶液进行热扩散的方法中，与气相反应法一样，在表面以外也形成n型扩散层。因此，为了作为元件具有pn结构造，必须在侧面进行蚀刻并在背面将n型扩散层变换成p型扩散层。通常，在背面涂布、烧成第13族元素即铝的糊剂，将n型扩散层变换成p型扩散层。

本发明是鉴于以上现有的问题点而研发的，其目的在于，提供一种n型扩散层形成组成物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法，可以在使用硅基板的太阳能电池元件的制造工序中，不形成不需要的n型扩散层，在特定部分更有效地形成n型扩散层。

用于解决课题的手段

解决所述课题的发明如下。

<1>一种n型扩散层形成组成物，其含有玻璃粉末和分散介质，所述玻璃粉末包含施主元素且软化温度为300℃～950℃。

<2>如<1>所述的n型扩散层形成组成物，其中，所述施主元素选自P(磷)及Sb(锑)中的至少一种。

<3>如<1>或<2>所述的n型扩散层形成组成物，其中，所述包含施主元素的玻璃粉末含有：选自P₂O₃、P₂O₅及Sb₂O₃中的至少一种含施主元素物质；选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO₂、CeO₂及MoO₃中的至少一种玻璃成分物质。

<4>如<1>～<3>中任一项所述的n型扩散层形成组成物，其中，所述玻璃粉末的结晶化温度为1050℃以上。

<5>一种n型扩散层的制造方法，具有：涂布<1>～<4>中任一项记载的n型扩散层形成组成物的工序和实施热扩散处理的工序。

<6>一种太阳能电池元件的制造方法，具有：在半导体基板上涂布<1>～<4>中任一项记载的n型扩散层形成组成物的工序；实施热扩散处理，形成n型扩散层的工序；在形成的所述n型扩散层上形成电极的工序。

发明的效果

根据本发明，可以在使用了硅基板的太阳能电池元件的制造工序中，不形成不需要的n型扩散层，在特定部分更有效地形成n型扩散层。

附图说明

图1是概念性地表示本发明的太阳能电池元件的制造工序的一个例子的剖面图；

图2A是从表面观察太阳能电池元件的平面图；