[发明专利]具有可变数量的使用写端口的多端口存储器

权利要求书

1.一种多端口存储器，包括：

存储单元，具有储存节点；

第一通道晶体管，耦接在该储存节点与第一端口之间；

第二通道晶体管，耦接在该储存节点与第二端口之间；以及

写入装置，耦接到该第一端口和该第二端口以用于当该多端口存储器由电源节点处的第一电压供电时，从该第一端口和该第二端口之一分别经由该第一通道晶体管和该第二通道晶体管之一以第一模式写入数据到该储存节点，并且用于当该多端口存储器由该电源节点处的与该第一电压不同的第二电压供电时，同时从该第一端口和该第二端口经由该第一通道晶体管和该第二通道晶体管以第二模式同时写入数据到该储存节点。

2.如权利要求1所述的多端口存储器，还包括：

读取电路，耦接到该储存节点。

3.如权利要求2所述的多端口存储器，其中，该写入装置的特征还在于选择性地在该第一端口和该第二端口之间进行选择以用于写入数据。

4.如权利要求3所述的多端口存储器，其中，该写入装置包括第一复用器，该第一复用器具有用于从该第一端口接收待写入的数据的第一输入、用于从该第二端口接收待写入的数据的第二输入、以及耦接到该第一端口的输出。

5.如权利要求4所述的多端口存储器，其中该写入装置还包括：

该第一端口具有用于启用该第一通道晶体管的部分；

该第二端口具有用于启用该第二通道晶体管的部分；以及

该写入装置还包括第二复用器，该第二复用器具有用于从该第一端口的用于启用该第一通道晶体管的部分接收用于该第一通道晶体管的启用信号的第一输入、用于从该第二端口的用于启用该第二通道晶体管的部分接收用于该第二通道晶体管的启用信号的第二输入、以及耦接到该第一通道晶体管的输出。

6.如权利要求1所述的多端口存储器，其中：

该存储单元具有第二储存节点；

该多端口存储器还包括：

第三通道晶体管，耦接在该储存节点与该第一端口的互补端口之间；

第四通道晶体管，耦接在该储存节点与该第二端口的互补端口之间；以及

所述写入装置耦接到该第一端口和该第二端口中的每个的互补端口以用于当该多端口存储器由该电源节点处的第一电压供电时，从该第一端口和该第二端口中的所述之一的互补端口分别经由该第三通道晶体管或第四通道晶体管以所述第一模式写入数据到该第二储存节点，并且用于当该多端口存储器由该电源节点处的与该第一电压不同的第二电压供电时，同时从该第一端口的互补端口和该第二端口的互补端口经由该第三通道晶体管和该第四晶体管以第二模式同时写入数据到该第二储存节点。

7.如权利要求1所述的多端口存储器，其中，该第一端口是写入端口，该第二端口在该第一模式中是读取端口。

8.如权利要求7所述的多端口存储器，还包括耦接到该第二端口的感测放大器。

9.如权利要求8所述的多端口存储器，其中，该写入装置包括第一复用器，该第一复用器具有用于从该第一端口接收待写入的数据的第一输入、用于在该第二模式中从该第二端口接收待写入的数据的第二输入、以及耦接到该第一端口的输出。

10.如权利要求1所述的多端口存储器，其中该第一端口和该第二端口在该第一模式中用作独立的读/写端口。

11.如权利要求10所述的多端口存储器，还包括：

第一感测放大器，耦接到该第一端口；以及

第二感测放大器，耦接到该第二端口。

12.一种操作多端口存储器的方法，包括：

以第一模式从第一端口通过第一电导写入数据到存储单元的储存节点，其中该第一模式的特征在于电源电压以第一电平施加在电源节点处；以及

以第二模式同时从该第一端口通过该第一电导和从第二端口通过第二电导写入数据到该存储单元的该储存节点，其中该第二模式的特征在于电源电压以与该第一电平不同的第二电平施加在该电源节点处。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该第二电平低于该第一电平。

14.如权利要求13所述的方法，还包括在该第一模式和该第二模式期间，通过耦接到该储存节点的感测放大器读取储存在该储存节点处的数据。