[发明专利]光学记录介质有效
| 申请号： | 201180018935.7 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102859596A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 三木刚;宫胁真奈美;田内裕基 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;B41M5/26;G11B7/24;G11B7/254;G11B7/257 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 | ||
1.一种光学记录介质，其包括：
基板，
两个至四个记录层，其中
所述记录层中的到少一者或多者是特定记录层，所述特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的到少一者、PdO、以及PdO2的组分，并且其中
与所述特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述In/Al氧化物层设置成与所述特定记录层中的底层和顶层两者都相邻。
3.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，除了与记录用光的入射侧相反侧的一层之外，所述记录层中的一者或多者是所述特定记录层。
4.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，对于记录用光的波长405nm、聚光透镜的数值孔径NA 0.85的光学系统，所述记录层具有每层25GB或更大的记录容量。
5.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述记录层是三个或更多个，并且其中，对于记录用光的波长405nm、聚光透镜的数值孔径NA 0.85的光学系统，所述记录层具有每层30GB或更大的记录容量。
6.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述In/Al氧化物层是InSnO层或InSiZrO层。
7.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述特定记录层包含Zn和W，并且其中，包含In作为主要成分的氧化物层被设置成与所述特定记录层相邻。
8.根据权利要求7所述的光学记录介质，其中，与所述特定记录层相邻的所述包含In作为主要成分的氧化物层是InSnO层或InSiZrO层。
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