[发明专利]光学记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及光学记录介质(例如光盘)，更具体地涉及可以高记录密度进行记录的光学记录介质。

背景技术

近年来，对于高容量光盘，已经可购买到蓝光盘^TM(BD)(在下文中称作“高容量光盘”)。对于记录和再现用光的波长约405nm、和聚光透镜的数值孔径NA约0.85的记录和再现光学系统，高容量光盘可实现约25GB的记录容量。

在高容量光盘类型的光学记录介质中，已经考虑各种各样的一次写入记录层材料。作为常规的一次写入光盘记录层材料，已知有机染料。同时，为了改进使用有机染料的生产率和有关记录信号的长期存储稳定性的问题，已经考虑各种各样的用于一次写入记录层材料的无机材料。例如，下文的专利文献1提出具有随着温度升高而高速结晶并产生光学变化的包括Te-O等的记录层的光学记录介质。

专利文献1：日本未审查专利申请公开2008-112556

发明内容

本发明要解决的问题

与此同时，在上述高容量光盘型一次写入光学记录介质中，为了进一步提高容量，已经进行多层化。对于单层高容量光盘，规定有关记录特性(跳动、调制度、误差率等)的适当范围。也需要在多层介质中满足位于范围内的记录特性。

考虑到上述问题，本发明的目标是提供可以用作上述高容量光盘型一次写入光学记录介质的光学记录介质，抑制由多层化引起的记录特性降低，并具有可比得上单层记录层构造的记录特性。

解决问题的手段

本发明的光学记录介质包括基板和两个至四个记录层，其中记录层中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In₂O₃、ZnO、Al₂O₃和SnO₂)中的至少一者、PdO、以及PdO₂的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。

这里的“至少包含In或Al作为主要成分”包括包含In作为主要成分的氧化物层、包含Al作为主要成分的氧化物层、或包含In和Al作为主要成分的氧化物层。

如上所述，本发明的光学记录介质具有包括两个至四个记录层的多层构造，其中至少一个或多个记录层是特定记录层，特定记录层具有包含PdO和PdO₂的组分。当利用激光照射特定记录层时，其他稳定的氧化物(例如In₂O₃和Al₂O₃)不反应，但是PdO和PdO₂反应。也就是说，通过照射记录光，产生反应以使得PdO分解成Pd和O₂，且PdO₂分解成PdO和O₂。当产生O₂时，将提供使平坦薄膜记录层膨胀的构造。结果，在照射记录光的位置上，形成记录标记，记录标记的反射率不同于周围区域的反射率。

此外，除了PdO和PdO₂之外，特定记录层包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的至少一者。采用这种构造，通过调节组分比可以精确地控制透射率。例如，当Zn的组分比增大时，透射率减小。当Al的组分比增大时，透射率增大。当Pd的组分比增大时，透射率显著减小。相反，当Pd的组分比减小时，透射率倾向于显著增大。通过利用由组分比引起的透射率变化，可以容易且精确地有利调节记录层的透射率。

在根据本发明的光学记录介质中，与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。当氧化物层设置在特定记录层的光入射侧的相反侧时，记录功率裕度变得更宽。另一方面，当氧化物层设置在光入射侧时，通过调整氧化物层的厚度可以单独地调节包括特定记录层的总反射率和透射率。因此，与特定记录层的顶部或底部相邻，设置In/Al氧化物层，从而提供具有良好记录特性的多层记录介质。这将使得高容量光盘型光学记录介质具有两个至四个多层化的记录层。

本发明的效果

本发明可以提供具有多层记录层构造的高容量光盘一次写入型光学记录介质，该多层记录层构造的记录特性与单层记录层构造类似。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的光学记录介质的示意性横截面构造图。

图2是根据本发明的另一实施例的光学记录介质的示意性横截面构造图。

图3是根据本发明的另一实施例的光学记录介质的示意性横截面构造图。