[发明专利]太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块无效
申请号: | 201180019110.7 | 申请日: | 2011-04-20 |
公开(公告)号: | CN102859712A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 梅田耕太郎 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 使用 模块 | ||
1.一种太阳能电池元件,具有:
半导体基板,其具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通了所述第一面及所述第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔;
第一电极,其具有分别设置于所述多个贯通孔内的多个导通部及设置于所述第二面上且与所述导通部电连接的第一输出取出部;
第二电极,其以与所述第一输出取出部分开的方式设置于所述第二面上且电阻率为2.5×10-8Ω·m以下;
第一配线件,其与所述第一输出取出部连接;
第二配线件,其与所述第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述第一配线件和所述第二配线件以在一直线上排列的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件,其中,
所述第二电极具有含有锡或银的厚度为5~30μm的镀覆层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池元件,其中,
所述第二电极还具有所述镀覆层的基底层,
该基底层含有钛-钨系合金作为主成分。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池元件,其中,
所述基底层的厚度为50~500nm。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
所述第二电极的面积相对于所述第二面的面积的比例为89~95%。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
所述第一输出取出部大致平行地设置多个,并且设置于所述第一输出取出部之间的第二电极的宽度为10~50mm。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
在所述第二电极和所述半导体基板之间具有钝化膜。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池元件,其中,
所述钝化膜形成至所述半导体基板的侧面。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
在所述第一面上设置有与所述导通部电连接的线状电极部,
该线状电极部具有与所述导通部直接连接的第一线状电极部和与所述第一线状电极部大致平行地配置且经由从所述导通部向一方向延伸的辅助电极部而与所述导通部连接的第二线状电极部。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池元件,其中,
所述辅助电极部的长度方向与所述导通部的排列的长度方向平行。
12.一种太阳能电池模块,具有权利要求1~11中任一项所述的太阳能电池元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的