[发明专利]太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块无效
申请号: | 201180019110.7 | 申请日: | 2011-04-20 |
公开(公告)号: | CN102859712A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 梅田耕太郎 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 使用 模块 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块。
背景技术
作为太阳能电池元件的一种,例如国际公布第2008/078741号小册子所示那样,有背接触型的太阳能电池元件。背接触型的太阳能电池元件在背面侧具有第一电极和第二电极,通过用配线件将一个太阳能电池元件的第一电极和另一个太阳能电池元件的第二电极电连接而构成太阳能电池模块。
发明内容
【发明要解决的课题】
然而,在由以往的背接触型的太阳能电池元件构成的太阳能电池模块中,由于太阳能电池元件和配线件的热膨胀系数的不同而引起翘曲量变大,太阳能电池模块的形成工序的操作性变难,有时工序中有产生裂纹等的情况。
另一方面,若减少配线件,则有时也有输出特性降低的情况。
本发明是为了解决上述问题而作出的,其目的在于提供一种减少太阳能电池元件的翘曲量并且减少输出特性的降低的太阳能电池模块。
【用于解决课题的手段】
本发明的太阳能电池元件具有:半导体基板,其具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通了所述第一面及所述第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔;第一电极,其具有分别设置于所述多个贯通孔内的多个导通部及设置于所述第二面上且与所述导通部电连接的第一输出取出部;第二电极,其以与所述第一输出取出部分开的方式设置于所述第二面上且电阻率为2.5×10-8Ω·m以下;第一配线件,其与所述第一输出取出部连接;第二配线件,其与所述第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置。
【发明效果】
根据本发明,通过特定背面侧的电极的表面电阻和配线结构,能够在维持太阳能电池模块的输出特性的同时,减少由于配线件引起的太阳能电池元件的翘曲量。
附图说明
图1是从表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。
图2是从表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图3是图1的A-A线的剖视图的一例。
图4是图1的A-A线的剖视图的另一例。
图5是示意性地表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池模块的结构的图,(a)是侧视图,(b)是俯视图。
图6是表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池模块的俯视图。
图7是从表示本发明的实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图8是从比较例1的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。
图9是从比较例1的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图10是在从比较例1的太阳能电池元件的第二侧面观察的配线状态下的俯视图。
图11是从比较例2的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。
图12是从比较例2的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图13是在从表示比较例2的太阳能电池元件的由配线件连接的状况的第二侧面观察的配线状态下的俯视图。
图14是从表示本发明的另一实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图15是从表示本发明的另一实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。
图16是表示本发明的太阳能电池元件的第二电极结构的简要剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。
《太阳能电池元件》
太阳能电池元件10如图1~图3所示那样,具有:一导电型的半导体基板1;具有与半导体基板1不同的导电型的反向导电型层2;贯通孔3;第一电极4;第二电极5。
半导体基板1具有第一面1F(图3中的上表面侧)和第一面1F的背面侧的第二面1S(图3中的下表面侧)。在太阳能电池元件10中,第一面1F成为表面(以下,为了方便说明,有时也将第一面1F称为半导体基板1的表面,将第二面1S称为半导体基板1的背面等)。
作为半导体基板1,例如使用具有规定的掺杂元素(导电型控制用的不纯物)而呈现一导电型(例如p型)的单晶硅基板或多晶硅基板等晶体硅基板。半导体基板1的厚度例如更加优选为250μm以下,进一步优选为150μm以下。半导体基板1的形状并不特别限制,但如本实施方式那样若为四边形状,则从制法上的观点出发为佳。在本实施方式中,以使用呈现p型的导电型的晶体硅基板作为半导体基板1的例子进行说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180019110.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:摇臂钻床刀排
- 下一篇:用于制造具有选择性发射极的太阳能电池的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的