[发明专利]收集器反射镜组件以及用于产生极紫外辐射的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年4月22日申请的美国临时申请61/326,965以及于2010年6月30日申请的美国临时申请61/360,089的权益。通过引用将上述两个临时申请的全部内容并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于光刻设备的收集器反射镜组件和用于产生极紫外辐射的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。还已经提出可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被用术语极紫外辐射或软x-射线辐射表示。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。等离子体可以例如通过引导激光束至燃料来产生，燃料例如是合适的材料(例如锡)的颗粒，或合适的气体或蒸汽的流，例如氙气或锂蒸汽。所形成的等离子体辐射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，所述包围结构或腔布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。

除极紫外辐射之外，等离子体通常产生成颗粒形式的碎片，诸如热能化原子、离子、中性物质、纳米簇和/或微粒。碎片可能导致对收集器反射镜和其它光学装置的损坏。在尝试防止碎片造成损坏时，缓冲气体可以用在等离子体的附近区域中，用于减缓碎片。然而，用于提供缓冲气体的现有方法和设备不是令人满意的。

发明内容

期望至少提供消除或缓解不论在此处或其它地方所提及的现有技术的至少一个不足的收集器反射镜组件，或提供对现有组件的替代。

根据一个方面，提供了一种收集器反射镜组件，包括具有反射表面的收集器反射镜和具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面。所述组件包括管状主体，所述管状主体延伸通过孔。所述管状主体具有内表面和外表面。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流。所述组件还包括在管状主体的外表面和孔的边缘之间的开口。所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。管状主体的外表面和孔的边缘形成布置成引导另外的气流的开口，所述另外的气流与大致横向于反射表面的气流分开。