[发明专利]电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块

权利要求书

1.一种电子元件，其具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其特征在于，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。

2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。

3.一种面发光激光器，其特征在于，具有：

下部半导体多层膜反射镜，其由第1低折射率层与具有比该第1低折射率层高的折射率的第1高折射率层的周期结构构成；上部多层膜反射镜，其由第2低折射率层与具有比该第2低折射率层高的折射率的第2高折射率层的周期结构构成；

有源层，其设置于所述下部半导体多层膜反射镜与所述上部多层膜反射镜之间；

以及下部接触层，其设置于所述有源层与所述下部半导体多层膜反射镜之间，形成有用于向所述有源层供给电流的下部电极，

其中，在所述下部半导体多层膜反射镜的至少一部分中，所述第1低折射率层与所述第1高折射率层具有互不相同的导电型。

4.根据权利要求3所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有互不相同的导电型的第1低折射率层与第1高折射率层中的p型以及n型的载流子浓度全部小于1×10¹⁷cm^-3。

5.根据权利要求3或者4所述的面发光激光器，其特征在于，所述下部半导体多层膜反射镜包含具有取入所述碳的性质的元素。

6.根据权利要求5所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有取入碳的性质的元素为铝（Al）。

7.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaAs构成，所述第1高折射率层由（Al）GaAs构成。

8.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaInP构成，所述第1高折射率层由（Al）GaInP构成。

9.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由InP构成，所述第1高折射率层由AlGaInAs构成。

10.根据权利要求3～9的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，具有：

电流狭窄层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述有源层之间，具有由Al_1-xGa_xAs构成的电流注入部以及由通过选择性氧化形成的（Al_1－xGa_x）₂O₃构成的电流狭窄部，其中0≤x＜0.2；

上部接触层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述电流狭窄层之间，形成有用于向所述有源层供给电流的上部电极；

以及高导电率层，其设置于所述上部接触层与所述电流狭窄层之间，具有比所述上部接触层高的导电率。

11.根据权利要求3～10的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，截止频率在20GHz以上。

12.根据权利要求4～11的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，所述第1低折射率层以及所述第1高折射率层都是在不有意地掺杂p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂的情况下形成。

13.根据权利要求4～11的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，所述第1低折射率层以及所述第1高折射率层之中的具有n型的导电型的层是有意地掺杂n型的掺杂剂而形成的。

14.一种面发光激光器阵列，其特征在于，通过将权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器排列成一维或者二维的阵列状而得到。

15.一种光源，其特征在于，具有：

权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器或者权利要求14所述的面发光激光器阵列；以及

向所述面发光激光器或者所述面发光激光器阵列施加调制信号的控制器。

16.一种光模块，其特征在于，具有权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器、权利要求14所述的面发光激光器阵列或者权利要求15所述的光源。