[发明专利]电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块

说明书

技术领域

本发明涉及电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。

背景技术

例如，公开了一种具有内腔结构的面发光激光器作为光互连用的光源（参照专利文献1、2）。内腔结构是指从构成光谐振器的两个反射镜（例如DBR（Distributed Bragg Reflector：分布布拉格反射器）反射镜）的内侧，不经由一个或者两个反射镜而向有源层注入电流的结构。

专利文献1所公开的面发光激光器在基板上形成有下部DBR反射镜。并且，在该下部DBR反射镜上依次形成有n型接触层与有源层，并且在n型接触层上形成有n侧电极。此外，在有源层的上侧形成有p侧电极，在该p侧电极的更上侧形成有上部DBR反射镜。专利文献1所公开的面发光激光器具有能够不经由上部以及下部DBR反射镜两者而向有源层注入电流的双内腔结构。专利文献1所公开的面发光激光器通过具有内腔结构，从而实现了低阈值电流以及高功率效率。

其中，在不经由下部DBR反射镜而向有源层注入电流的内腔结构的情况中，通常为了寄生电容的降低等，下部DBR反射镜由不掺杂的半导体构成。

专利文献1美国特许第6750071号说明书

专利文献2日本特开2004-103754号公报

非专利文献1S.Sekiguchi，etal.，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.36，pp.2638-2639(1997)

发明内容

发明要解决的课题

可是，也会产生如下的问题，即，不限于面发光激光器，在施加调制后的电信号并使其动作的电子元件的情况下，通过寄生电容使电子元件的截止频率降低，或者在阵列状地构成电子元件的情况下元件间的串扰增大等。特别是近年来强烈期待一种在请求20GHz以上的截止频率的高频特性过程中，降低了寄生电容的电子元件。

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种降低了寄生电容的电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，并达成目的，本发明的电子元件具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其特征在于，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。

此外，本发明的电子元件的特征在于，在上述发明中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。

此外，本发明的面发光激光器的特征在于，具有：下部半导体多层膜反射镜，其由第1低折射率层与具有比该第1低折射率层高的折射率的第1高折射率层的周期结构构成；上部多层膜反射镜，其由第2低折射率层与具有比该第2低折射率层高的折射率的第2高折射率层的周期结构构成；有源层，其设置于所述下部半导体多层膜反射镜与所述上部多层膜反射镜之间；以及下部接触层，其设置于所述有源层与所述下部半导体多层膜反射镜之间，形成有用于向所述有源层供给电流的下部电极，其中，在所述下部半导体多层膜反射镜的至少一部分中，所述第1低折射率层与所述第1高折射率层具有互不相同的导电型。

此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，所述具有互不相同的导电型的第1低折射率层与第1高折射率层中的p型以及n型的载流子浓度全部小于1×10¹⁷cm^-3。

此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，所述下部半导体多层膜反射镜包含具有取入所述碳的性质的元素。

此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，具有取入所述碳的性质的元素为铝（Al）。

此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaAs构成，所述第1高折射率层由（Al）GaAs构成。

此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaInP构成，所述第1高折射率层由（Al）GaInP构成。

此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由InP构成，所述第1高折射率层由AlGaInAs构成。