[发明专利]在通孔和刻蚀结构中形成并图案化共形绝缘层的方法

权利要求书

1.一种在衬底上形成结构的方法，包括：

a.在衬底上刻蚀出通孔或槽图案，所述通孔或槽图案包括位于侧壁上的悬突；以及

b.沉积出涂覆在所述悬突的部分底面的上和所述侧壁上的介电层。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括：在刻蚀所述通孔或槽图案前，在所述衬底上形成掩模图案。

3.根据权利要求1的方法，其中，所述刻蚀工艺包括用于形成所述悬突的各向同性刻蚀。

4.根据权利要求1的方法，其中，所述刻蚀工艺包括等离子体刻蚀、激光刻蚀、湿法刻蚀、离子铣削和反应性离子铣削中的至少一种。

5.根据权利要求1的方法，其中，所述介电层形成涂覆在所述悬突和所述侧壁上的共形层。

6.根据权利要求1的方法，其中，所述介电层提供具有比在刻蚀之后侧壁的表面光滑的表面的侧壁。

7.一种方法，包括：

a.提供具有通孔或槽图案的衬底，所述通孔或槽图案包括位于侧壁上的悬突；

b.沉积出涂覆在所述悬突的底面的部分上和所述侧壁上的介电层；以及

c.各向异性地刻蚀所述介电层。

8.根据权利要求7的方法，其中，所述悬突由掩模层以及各向同性刻蚀工艺形成。

9.根据权利要求7的方法，其中，所述介电层形成涂覆在所述悬突和所述侧壁上的共形层。

10.根据权利要求9的方法，其中，所述悬突阻挡所述各向异性刻蚀去除涂覆在所述侧壁上的部分介电层。

11.根据权利要求7的方法，其中，所述介电层沉积工艺包括化学气相沉积、电化学沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、纳米层沉积、旋涂沉积和物理气相沉积中的至少一种。

12.根据权利要求7的方法，其中，所述介电层包括聚对二甲苯层。

13.根据权利要求7的方法，进一步包括：在沉积所述介电层之前，沉积二氧化硅层。

14.根据权利要求7的方法，其中，所述各向异性刻蚀去除所述通孔或槽图案的顶部表面处的介电层。

15.根据权利要求7的方法，其中，所述悬突由掩模层形成，并且其中，所述各向异性刻蚀去除所述通孔或槽图案的顶部表面处的介电层以及涂覆在所述掩模层的侧壁上的部分介电层。

16.根据权利要求7的方法，其中，所述悬突由掩模层形成，并且其中，所述各向异性刻蚀去除涂覆在所述掩模层的侧壁上的介电层。

17.根据权利要求7的方法，其中，所述悬突由掩模层形成，并且其中，所述各向异性刻蚀去除位于所述掩模的开口内部的介电层以及所述掩模的开口下方的部分介电层。

18.根据权利要求7的方法，其中，所述各向异性刻蚀去除所述各向异性刻蚀通孔或槽图案的顶部表面处的介电层以及底部表面处的部分或全部介电层。

19.根据权利要求7的方法，其中，所述悬突由掩模层形成，并且其中，所述各向异性刻蚀去除所述通孔或槽图案的顶部表面处的介电层、涂覆所述掩模层的侧壁的介电层以及所述通孔或槽图案的底部表面处的介电层。

20.根据权利要求7的方法，其中，所述悬突由掩模层形成，并且其中，所述各向异性刻蚀去除所述通孔或槽图案的顶部表面处的介电层、涂覆所述掩模层的侧壁的介电层、在所述掩模的开口下方的部分介电层以及所述通孔或槽图案的底部表面处的介电层。

21.根据权利要求7的方法，其中，所述通孔或槽图案包括在所述侧壁上的锚，所述锚用作锚定随后沉积的膜的锚。

22.根据权利要求21的方法，其中所述锚包括扇贝形皱褶的壁、一形状的所述通孔或槽以及在侧壁上的凹进中的一种。