[发明专利]成膜方法及成膜装置有效

专利信息
申请号: 201180019919.X 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN103140598A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 盐野一郎;宫内充祐;姜友松 申请(专利权)人: 新柯隆株式会社
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李逸雪
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种成膜方法,其特征在于,

通过向基体保持单元的基体保持面的一部分区域照射离子,从而仅对由所述基体保持面保持且转动中的多个基体中的、移动到所述区域的特定基体的组照射所述离子,之后在中止了所述离子照射的状态下,通过向所述基体保持面的全部区域提供疏油膜的成膜材料,从而向全部所述基体提供所述成膜材料,使疏油膜堆积在所述基体的表面上。

2.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,

在将成膜材料的供给时间设为T1、将离子照射时间设为T2时,以T2≤((1/2)×T1)的方式对每一片基体照射离子。

3.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于,

在将成膜材料的供给区域设为A1、将离子的照射区域设为A2时,以A2≤((1/2)×A1)的方式对基体保持单元的基体保持面照射离子。

4.如权利要求1~3中任一项所述的成膜方法,其特征在于,

以照射区域成为沿着所述基体的移动方向而被纵长状的闭合曲线所包围的区域的方式照射离子。

5.如权利要求1~4中任一项所述的成膜方法,其特征在于,

使用加速电压为50~1500V的离子。

6.如权利要求1~5中任一项所述的成膜方法,其特征在于,

使用照射离子电流为50~1500mA的离子。

7.如权利要求1~6中任一项所述的成膜方法,其特征在于,

使用至少含有氧的离子。

8.一种成膜装置,用于形成疏油膜,该成膜装置在真空容器内以能够转动的方式配置基体保持单元,该基体保持单元具有用于保持多个基体的基体保持面,该成膜装置的特征在于,具有:

离子照射单元,以能够向着所述基体保持面的一部分区域照射离子的结构、配置以及/或方向,被设置在所述真空容器内;以及,

成膜单元,以能够向着所述基体保持面的全部区域提供成膜材料的配置以及方向,被设置在所述真空容器内,

在所述成膜单元的动作开始前,所述成膜装置使所述离子照射单元的动作停止。

9.如权利要求8所述的成膜装置,其特征在于,

所述离子照射单元以能够对所述基体保持面的全部区域的一半以下区域照射离子的配置,被配置在所述真空容器内。

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