[发明专利]具有改进的稳定性和减小的位单元大小的低功率5T SRAM

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器SRAM，其包括：

存储元件，其用于存储数据，其中所述存储元件耦合到第一电压和接地电压；

存取晶体管，其用以存取所述存储元件上的操作；以及

控制逻辑，其经配置以产生与针对读取操作的所述第一电压的值不同的针对写入操作的所述第一电压的所述值。

2.根据权利要求1所述的SRAM，其中针对写入操作的所述第一电压的所述值低于针对读取操作的所述第一电压的所述值。

3.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述存取晶体管耦合到字线和位线，使得所述存取晶体管通过将所述字线驱动到电源电压而接通，且通过将所述字线驱动到所述接地电压而断开。

4.根据权利要求3所述的SRAM，其中在读取操作期间，所述字线被驱动到所述电源电压，所述位线浮动，且所述第一电压被驱动到所述电源电压。

5.根据权利要求3所述的SRAM，其中所述控制逻辑包括耦合到所述电源电压的第一p沟道晶体管和耦合到中间电压的第二p沟道晶体管，其中所述中间电压的值位于所述接地电压与所述电源电压之间，使得在写入操作期间，所述字线被驱动到所述电源电压，所述位线被驱动到对应于待存储的所述数据的电压值，且所述第一电压被驱动到所述中间电压。

6.根据权利要求5所述的SRAM，其中在待机操作模式期间，所述字线被驱动到所述接地电压，所述位线被驱动到所述中间电压，且第一电压被驱动到所述中间电压。

7.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述存储元件包括交叉耦合到第二反相器的第一反相器，使得所述第一反相器和所述第二反相器大小平衡。

8.根据权利要求7所述的SRAM，其中所述第一反相器包括第一p沟道晶体管和第一n沟道晶体管，且所述第二反相器包括第二p沟道晶体管和第二n沟道晶体管，且其中所述第一p沟道晶体管的大小等于所述第二p沟道晶体管的大小，且所述第一n沟道晶体管的大小等于所述第二n沟道晶体管的大小。

9.根据权利要求7所述的SRAM，其中所述存取晶体管的大小对应地增加以改进与所述第一反相器和所述第二反相器的所述平衡大小相关联的写入噪声容限参数。

10.根据权利要求1所述的SRAM，其集成在至少一个半导体裸片中。

11.根据权利要求1所述的SRAM，其进一步包括选自由以下各者组成的群组的装置：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机，所述SRAM单元集成到所述装置中。

12.一种在静态随机存取存储器SRAM中的方法，其包括：

将用于存储二进制数据的存储元件耦合到第一电压和接地电压；

用存取晶体管控制所述存储元件上的存取操作；以及

产生与针对读取操作的所述第一电压的值不同的针对写入操作的所述第一电压的第一电压值。

13.根据权利要求12所述的方法，其中针对写入操作的所述第一电压的所述值低于针对读取操作的所述第一电压的所述值。

14.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

激活所述存取晶体管以在所述读取和写入操作期间将所述存储元件耦合到位线，其中所述存取晶体管的栅极耦合到字线。

15.根据权利要求14所述的方法，在读取操作期间，其进一步包括：

将所述字线驱动到电源电压；

使所述位线浮动；以及

将所述第一电压驱动到所述电源电压。

16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：将第一p沟道晶体管耦合到所述电源电压且将第二p沟道晶体管耦合到中间电压，其中所述中间电压的值位于所述接地电压与所述电源电压之间；以及，其中在写入操作期间，将所述字线驱动到所述电源电压，将所述位线驱动到对应于待存储的所述数据的电压值，且将所述第一电压驱动到所述中间电压。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括在待机操作模式期间，将所述字线驱动到所述接地电压，将所述位线驱动到所述中间电压，且将所述第一电压驱动到所述中间电压。