[发明专利]半导体显示装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体显示装置，包括：

面板，所述面板包括像素部分和驱动器电路，所述驱动器电路配置成在提供驱动信号和电源电位时向所述像素部分输入图像信号，并且配置成在停止所述驱动信号和所述电源电位的提供时停止向所述像素部分输入所述图像信号；

触摸面板，所述触摸面板与所述像素部分重叠；

CPU，所述CPU配置成按照来自所述触摸面板的操作信号来选择是否向所述驱动器电路提供所述驱动信号和所述电源电位；以及

显示控制电路，配置成按照来自所述CPU的指令来控制向所述驱动器电路提供所述驱动信号和所述电源电位，

其中所述像素部分包括配置成按照所述图像信号的电压来执行显示的显示元件和配置成控制所述电压的保持的晶体管，以及

其中所述晶体管包括其带隙比硅的带隙要宽并且其本征载流子密度比沟道形成区中硅的本征载流子密度要低的半导体材料。

2.如权利要求1所述的半导体显示装置，

其中，所述驱动器电路包括移位寄存器，以及

其中，所述驱动信号是起始信号和时钟信号。

3.如权利要求1所述的半导体显示装置，其中，所述半导体材料是氧化物半导体。

4.如权利要求3所述的半导体显示装置，其中，所述氧化物半导体是In-Ga-Zn-O基氧化物半导体。

5.如权利要求3所述的半导体显示装置，其中，所述氧化物半导体中的氢浓度小于或等于5×10¹⁹ /cm³。

6.如权利要求1所述的半导体显示装置，其中，所述晶体管的断态电流密度小于或等于100 zA/μm。

7.一种半导体显示装置，包括：

面板，所述面板包括像素、包含光电传感器的像素部分和驱动器电路，所述驱动器电路配置成在提供驱动信号和电源电位时向所述像素部分输入图像信号，并且配置成在停止所述驱动信号和所述电源电位的提供时停止向所述像素部分输入所述图像信号；

CPU，所述CPU配置成按照来自所述光电传感器的操作信号来选择是否向所述驱动器电路提供所述驱动信号和所述电源电位；以及

显示控制电路，配置成按照来自所述CPU的指令来控制向所述驱动器电路提供所述驱动信号和所述电源电位，

其中，所述像素包括配置成按照所述图像信号的电压来执行显示的显示元件和配置成控制所述电压的保持的晶体管，以及

其中，所述晶体管包括其带隙比硅的带隙要宽并且其本征载流子密度比沟道形成区中硅的本征载流子密度要低的半导体材料。

8.如权利要求7所述的半导体显示装置，

其中，所述驱动器电路包括移位寄存器，以及

其中，所述驱动信号是起始信号和时钟信号。

9.如权利要求7所述的半导体显示装置，其中，所述半导体材料是氧化物半导体。

10.如权利要求9所述的半导体显示装置，其中，所述氧化物半导体是In-Ga-Zn-O基氧化物半导体。

11.如权利要求9所述的半导体显示装置，其中，所述氧化物半导体中的氢浓度小于或等于5×10¹⁹/cm³。

12.如权利要求7所述的半导体显示装置，其中，所述晶体管的断态电流密度小于或等于100 zA/μm。

13.半导体显示装置的驱动方法，包括下列步骤：

按照来自触摸面板的操作信号来改变某个周期图像信号到像素部分的写操作次数；

当所述图像信号被写到所述像素部分时，由显示元件按照所述图像信号的电压来执行显示；以及

通过由包含其带隙比硅的带隙要宽并且其本征载流子密度比沟道形成区中硅的本征载流子密度要低的半导体材料的晶体管保持所述图像信号的电压，来维持所述显示元件的显示。

14.如权利要求13所述的半导体显示装置的驱动方法，其中，所述半导体材料是氧化物半导体。

15.如权利要求14所述的半导体显示装置的驱动方法，其中，所述氧化物半导体是In-Ga-Zn-O基氧化物半导体。