[发明专利]半导体显示装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201180021087.5 申请日: 2011-03-31
公开(公告)号: CN103109314A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 山崎舜平;小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G02F1/133;G02F1/1368;G06F3/041;G09F9/00;G09F9/30;G09G3/36;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 汤春龙;卢江
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 显示装置 及其 驱动 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及使用晶体管的有源矩阵半导体显示装置及其驱动方法。

背景技术

触摸面板是一种位置输入装置,它能够检测采用手指、触针等所指示的位置,并且能够生成包含位置信息的信号。按照使得触摸面板与图像显示区域重叠的方式来得到的显示装置称作触摸屏,该显示装置能够在图像显示区中显示图像,并且作为信息能够得到用户指示图像显示区中的哪一个位置。另外,触摸屏的示例包括一种触摸屏,其中称作光电传感器的光电转换元件设置在图像显示区中,并且用户所指示的位置通过光强度来检测。触摸屏具有作为位置输入装置以及作为显示装置的两种功能;因此,与使用诸如触摸垫或鼠标之类的位置输入装置的情况相比,触摸屏具有高可操作性,并且电子装置的尺寸易于减小。

专利文献1中描述了具有触摸面板和液晶显示面板的信息显示装置。

[参考文献]

[专利文献1]     日本已公布专利申请No.2001-022508。

发明内容

如先前所述,触摸屏具有易于减小电子装置的尺寸的优点。将触摸面板或光电传感器加入诸如平板显示器之类的薄半导体显示装置,由此电子装置的尺寸或厚度能够进一步减小。因此,能够预计加入了触摸面板的半导体显示装置不仅适用于固定电子装置,而且还适用于包括便携电子装置在内的各种电子装置。

低功率消耗是评估半导体显示装置的性能方面的重点之一,并且具有触摸面板或光电传感器的半导体显示装置在那方面也不例外。具体来说,当使用诸如蜂窝电话之类的便携电子装置时,具有触摸面板或光电传感器的半导体显示装置的大功率消耗引起短连续操作时间的缺点;因此,要求低功率消耗。

甚至在专利文献1中,一个目的是降低功率消耗。具体来说,专利文献1描述一种结构,其中当不存在触摸面板键操作(touch panel key operation)时停止液晶显示面板的驱动,以使得降低功率消耗。但是,需要限制液晶材料的种类,以便实现专利文献1中的上述结构;因此,通用性较低。另外,与其相应颜色对应的显示层堆叠在上述液晶显示面板中,以便显示全色图像;因此,面板内部的光损耗较大,并且显示较暗。

鉴于上述问题,本发明的一个目的是提供一种具有触摸面板或光电传感器的半导体显示装置,该半导体显示装置能够防止图像的质量损失并且能够降低功率消耗。备选地,本发明的一个目的是提供具有触摸面板或光电传感器的半导体显示装置的驱动方法,其能够防止图像的质量损失并且能够降低功率消耗。

本发明人认为,当图像显示区中显示的图像是静止图像而不是运动图像时,用户通常更易于就在位置信息输入到半导体显示装置之前指定输入位置。它们集中于增加在图像显示区中显示静止图像的周期,这是因为来自用户的位置信息的输入的备用周期(standby period)倾向于在位置信息间歇地输入到半导体显示装置时增加。本发明人认为,在显示静止图像的周期中存在降低半导体显示装置的功率消耗的空间。

因此,在按照本发明的一个实施例的半导体显示装置中,当就在位置信息输入到触摸面板或光电传感器之前显示静止图像时的驱动频率比显示运动图像时的驱动频率要低,由此降低半导体显示装置的功率消耗。备选地,在按照本发明的一个实施例的半导体显示装置中,在位置信息输入到触摸面板或光电传感器之后显示静止图像时的驱动频率比显示运动图像时的驱动频率要低,由此降低半导体显示装置的功率消耗。通过上述结构,在位置信息输入到触摸面板或光电传感器处于备用周期的周期中能够降低功率消耗。

此外,在本发明的一个实施例中,显示元件以及用于控制施加到显示元件的电压的保持的、具有极低断态电流的绝缘栅场效应晶体管(以下简单地称作晶体管)设置在与半导体显示装置的图像显示区对应的像素部分中,以便实现上述结构。使用具有极低断态电流的晶体管,由此能够增加施加到显示元件的电压得以保持的周期。相应地,例如,在对于一些连续帧周期将各具有相同图像信息的图像信号写到像素部分的情况下,与静止图像相似,图像的显示甚至在驱动频率较低时也能够得以维持,换言之,对于某个周期图像信号的写操作次数减少。

晶体管的沟道形成区包含其带隙比硅半导体的带隙要宽并且其本征载流子密度比硅的本征载流子密度要低的半导体材料。通过包含具有上述特性的半导体材料的沟道形成区,能够实现具有极低断态电流的晶体管。作为这种半导体材料的示例,能够给出具有硅的大约两倍或以上的带隙的氧化物半导体。具有上述结构的晶体管用作用于保持施加到显示元件的电压的开关元件,由此能够防止从显示元件泄漏电荷。

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