[发明专利]卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀

说明书

技术领域

本发明涉及一种填充有卤素或卤素化合物气体的容器所使用的直接接触型隔膜阀（diaphragm valve）。

背景技术

氟气作为半导体器件、MEMS（微电子机械系统）器件、液晶用TFT（薄膜晶体管）面板及太阳能电池等的半导体制造工序中的基板的蚀刻工艺、CVD装置等薄膜形成装置的清洁工艺用气体，担当重要的作用。

作为供给氟气的方法之一，有将氟气高压填充到储气瓶中来进行供给的方法。届时，将氟气填充在储气瓶中从而经由阀供给到半导体制造装置。通过提高氟气的填充压力，减少储气瓶的周转频度，能够减少储气瓶的输送费用，降低作业负担，通过使用高浓度的氟气，能够有效地进行清洁工艺，所以希望将氟气高压且高浓度地填充到储气瓶中。

鉴于这种背景，在专利文献1中公开了一种将高浓度的氟气以高压力供给到半导体制造系统中的阀。

专利文献1：日本特开2005–207480号公报

专利文献1所述的阀是利用阀座阀瓣（seat disk）开闭气体的流路、利用膜片密封流路与外部的气密状态的阀，所以阀室内的易于气体滞留的死角较大。在阀室内的易于气体滞留的死角较大的情况下，若将高压、高浓度的氟气导入阀室内，则阀室内的温度容易在隔热压缩的作用下上升。当阀室内的温度上升时，容易发生阀室内的表面腐蚀、树脂材质的劣化。结果，由表面腐蚀产生的生成物附着在阀室内（特别是阀座部），由腐蚀产生的生成物导致气密状态不良，所以容易泄漏。

这样，在使用阀供给氟气等含有卤素的腐蚀性高的气体的情况下，腐蚀性的气体容易引发阀内部的表面腐蚀，所以存在所产生的腐蚀物附着在阀座表面部，很难维持充分的气密性的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述的问题而做成的，目的在于提供一种具有充分的气密性的、卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。

本发明人进行了潜心研究，结果发现能够通过在隔膜阀的阀座部与膜片相接触的接触面中，将阀座部的接触面的表面粗糙度、阀座部的接触面的曲率半径及膜片与阀座部相接触的接触面积同膜片的气体接触部表面积的面积比率调整为规定范围，来改善阀的气密性，由此完成了本发明。

即，根据本发明的第1技术方案，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路，卤素气体或卤素化合物气体在该阀主体内部流通；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动；该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为02％～10％。

在上述阀中，优选膜片的纵弹性模量为150GPa～250GPa。另外，上述阀中，上述卤素气体为氟气，该阀能够安装于以氟气的浓度为20体积％～100体积％、氟气压力为0MPaG～14.7MPaG的条件填充有氟气的储气瓶容器从而进行使用。

此外，本发明的第2技术方案提供具有上述阀的气体填充容器。

附图说明

图1是本发明的实施方式的阀的整体图。

图2是图1的阀的阀室附近的放大图。

图3是图1的阀的阀室的第一横剖俯视图。

图4是图1的阀的阀室的第二横剖俯视图。

具体实施方式

下面，根据附图说明本发明的实施方式。

图1是本发明的实施方式的阀1的纵剖视图。阀1是能够使膜片离开阀座部或与阀座部抵接、从而进行开闭的直接接触型隔膜阀。直接接触型隔膜阀是普遍公知的，本发明的特征涉及膜片和阀座部的构造。

首先，说明阀1的构造。