[发明专利]检查装置及检查方法有效
申请号: | 201180021893.2 | 申请日: | 2011-04-28 |
公开(公告)号: | CN102884609A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 深泽和彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 董惠石 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 方法 | ||
1.一种检查装置,其特征在于,具备:
照明部,能以照明光照明借由曝光形成的图案;
检测部,检测来自前述被照明的图案的反射光;以及
运算部,比较第1变化情况与第2变化情况,算出前述第1变化情况与前述第2变化情况的偏差,该第1变化情况是以多个第1曝光条件形成的图案的检测结果相对于前述第1曝光条件的变化情况,该第2变化情况,是照明以在与前述第1曝光条件的范围至少一部分重复的范围内间隔为已知的多个第2曝光条件形成的图案后来自该图案的反射光的检测结果相对于前述第2曝光条件的变化情况。
2.根据权利要求1所述的检查装置,其特征在于,前述曝光条件是聚焦及曝光量的至少一方。
3.根据权利要求1或2所述的检查装置,其特征在于,进一步具备储存前述第1变化情况的储存部;
根据储存于前述储存部的前述第1变化情况进行前述偏差的算出。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的检查装置,其特征在于,利用前述第1变化情况与前述第2变化情况的图案匹配进行前述比较。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的检查装置,其特征在于,前述第1曝光条件,是根据能测定图案形状的测定装置的测定结果来决定。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的检查装置,其特征在于,照明借由根据前述算出的偏差而调整后的曝光装置以前述第1曝光条件形成的图案,以求出前述第1变化情况。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的检查装置,其特征在于,前述检测部,检测以一次曝光形成的图案内的多个部分的前述反射光。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的检查装置,其特征在于,前述照明部是以大致平行的光束即前述照明光一次照明形成有前述图案的前述基板的表面整体;
前述检测部,是一次检测来自被照射前述照明光的前述基板的表面整体的光。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的检查装置,其特征在于,前述检测部,检测照射前述照明光而在前述基板的前述图案产生的绕射光。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的检查装置,其特征在于,前述照明部,将大致直线偏光作为前述照明光照射于前述基板的表面;
前述检测部,检测与在前述基板反射的大致直线偏光的振动方向大致正交的振动方向的偏光成分。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的检查装置,其特征在于,将根据前述算出的偏差的资讯以能输入曝光装置的方式输出。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的检查装置,其特征在于,具备测定使前述图案曝光前的抗蚀膜的膜厚的膜厚测定部;
前述运算部,根据在前述膜厚测定部分别测定的前述膜厚进行前述比较的修正。
13.根据权利要求12所述的检查装置,其特征在于,前述膜厚测定部根据来自以前述照明部照明的前述抗蚀膜的正反射光测定膜厚。
14.根据权利要求12或13所述的检查装置,其特征在于,前述膜厚测定部是根据来自以多个波长的光分别照明的前述抗蚀膜的正反射光测定膜厚。
15.一种检查方法,包括:
准备第1变化情况,该第1变化情况是从以多个第1曝光条件形成的图案得到的反射光相对于前述第1曝光条件的变化情况;
照明以在与前述第1曝光条件的范围至少一部分重复的范围内间隔为已知的多个第2曝光条件形成的图案;
检测来自前述被照明的图案的反射光;
求出前述检测的结果相对于前述第2曝光条件的变化情况即第2变化情况;
求出前述第1变化情况与前述第2变化情况的偏差。
16.根据权利要求15所述的检查方法,其中,前述曝光条件是聚焦及曝光量的至少一方。
17.根据权利要求15或16所述的检查方法,其利用前述第1变化情况与前述第2变化情况的图案匹配求出前述偏差。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的检查方法,其以一次曝光形成的图案内的多个部分进行前述检测。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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