[发明专利]检查装置及检查方法

说明书

技术领域

本发明有关于检查被曝光装置曝光的半导体基板的检查装置及检查方法。

背景技术

作为求出曝光装置的最佳聚焦条件及曝光量(dose)的方法，已知使用借由曝光装置使聚焦或曝光量在每一照射变化而曝光的晶圆(以下称为FEM晶圆)的方法(例如参照专利文献1)。此方法，例如在将线图案投影曝光至FEM晶圆的表面时，以电子显微镜(CD-SEM)测定依照聚焦的变化而图案形状(线宽)变化之处，求出显示相对于聚焦变化(横轴)的线宽变化(纵轴)的图表(以下称为线宽基准聚焦曲线)。此处，将线宽为最大的聚焦值定义为最佳聚焦，求出在线宽基准聚焦曲线中线宽为最大的聚焦值。具体而言，在相同曝光量测定多次分别与聚焦的变化对应的线宽，使用多次测定的线宽的平均值求出线宽基准聚焦曲线，将在此线宽基准聚焦曲线中线宽为最大的聚焦值求出作为曝光装置的最佳聚焦(best focus)条件。

又，以电子显微镜(CD-SEM)测定依照曝光量的变化而图案形状(线宽)变化之处，求出显示相对于曝光量变化(横轴)的线宽变化(纵轴)的图表(以下称为线宽基准曝光量曲线)。接着，将在线宽基准曝光量曲线中得到设计值的线宽的曝光量求出作为曝光装置的最佳曝光量(best dose)条件。

先行技术文献

专利文献1：日本特开2007-304054号公报

发明内容

发明所欲解决的技术问题

然而，求出曝光装置的最佳聚焦条件及曝光量(dose)的作业，需就各不同制品、各不同步骤、以及各曝光装置的台数分别进行，公知的方法需要花费庞大劳力与时间。

本发明鉴于此种问题而为，其目的在提供一种能在短时间精度良好地设定聚焦条件或曝光量的装置及方法。

用以解决技术问题的手段

为达成上述目的，本发明的检查装置，具备：照明部，能以照明光照明借由曝光形成的图案；检测部，检测来自前述被照明的图案的反射光；以及运算部，比较第1变化情况与第2变化情况，算出前述第1变化情况与前述第2变化情况的偏差，该第1变化情况是以多个第1曝光条件形成的图案的检测结果相对于前述第1曝光条件的变化情况，该第2变化情况，是照明以在与前述第1曝光条件的范围至少一部分重复的范围内间隔为已知的多个第2曝光条件形成的图案、来自该图案的反射光的检测结果相对于前述第2曝光条件的变化情况。

上述检查装置较佳为，前述曝光条件是聚焦及曝光量的至少一方。

上述检查装置较佳为，进一步具备储存前述第1变化情况的储存部；根据储存于前述储存部的前述第1变化情况进行前述偏差的算出。

上述检查装置较佳为，利用前述第1变化情况与前述第2变化情况的图案匹配进行前述比较。

上述检查装置较佳为，前述第1曝光条件，是根据能测定图案形状的测定装置的测定结果来决定。

上述检查装置较佳为，照明借由根据前述算出的偏差而调整后的曝光装置以前述第1曝光条件形成的图案，以求出前述第1变化情况。

上述检查装置较佳为，前述检测部，检测以一次曝光形成的图案内的多个部分的前述反射光。

上述检查装置较佳为，前述照明部是以大致平行的光束即前述照明光一次照明形成有前述图案的前述基板的表面整体；前述检测部，是一次检测来自被照射前述照明光的前述基板的表面整体的光。

上述检查装置较佳为，前述检测部，检测被照射前述照明光而在前述基板的前述图案产生的绕射光。

上述检查装置较佳为，前述照明部，将大致直线偏光作为前述照明光照射于前述基板的表面；前述检测部，检测与在前述基板反射的大致直线偏光的振动方向大致正交的振动方向的偏光成分。

上述检查装置较佳为，将根据前述算出的偏差的资讯以能输入曝光装置的方式输出。

上述检查装置较佳为，其具备测定使前述图案曝光前的抗蚀膜的膜厚的膜厚测定部；前述运算部，根据在前述膜厚测定部分别测定的前述膜厚进行前述比较的修正。

上述检查装置较佳为，前述膜厚测定部根据来自以前述照明部照明的前述抗蚀膜的正反射光测定膜厚。

上述检查装置较佳为，前述膜厚测定部根据来自以多个波长的光分别照明的前述抗蚀膜的正反射光测定膜厚。