[发明专利]晶片支承环

权利要求书

1.一种用于在多个处理操作期间支承晶片的方法，该方法包括：

在第一处理操作期间，使用支承环支承晶片，其中，该支承环具有上表面；

在第一处理操作结束后，将晶片传送到第二晶片支承结构；以及

在第二处理操作期间，使用第二支承结构支承晶片，其中，该第二支承结构具有上表面；

其中，晶片与支承环的上表面在晶片表面上的第一多个位置接触，并且晶片与第二支承结构的上表面在晶片上的不同于所述第一多个位置的第二多个位置接触。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于：第一处理操作是热处理。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于：第二处理操作是热处理。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于：该方法进一步包括在第三处理操作期间在第三多个位置支承晶片。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于：第三多个位置不同于第一多个位置。

6.根据权利要求4的方法，其特征在于：第三多个位置不同于第二多个位置。

7.根据权利要求4的方法，其特征在于：第三多个位置与第二多个位置相同。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于：晶片与支承环在支承环的上表面上的第一接触区和第二接触区中的其中一个接触。

9.一种弓形晶片支承环，该支承环具有中央开口、上表面以及下表面，该支承环包括：

内接触区，该内接触区具有在10mm和25mm之间的宽度，该内接触区限定支承环的上表面的至少一部分；以及

位于内接触区和支承环的外周之间的沟道，该沟道具有在25mm和40mm之间的宽度；

其中，支承环具有200mm的内径和300mm的外径，且内接触区的宽度和沟道的宽度之和等于50mm。

10.根据权利要求9的支承环，其特征在于：内接触区的宽度为15mm，沟道的宽度为35mm。

11.根据权利要求9的支承环，其特征在于：内接触区的宽度为10mm，沟道的宽度为40mm。

12.根据权利要求9的支承环，其特征在于：该支承环还包括宽度在1mm到10mm之间的外接触区，该外接触区限定支承环的上表面的至少一部分。

13.根据权利要求12的支承环，其特征在于：内接触区的宽度、沟道的宽度以及外接触区的宽度之和等于50mm。

14.根据权利要求12的支承环，其特征在于：外接触区设置在沟道和支承环的外周之间。

15.一种弓形晶片支承环，该支承环具有中央开口、上表面以及下表面，该支承环包括：

内接触区，该内接触区具有宽度和厚度，该内接触区限定支承环的上表面的至少一部分；

外接触区，该外接触区具有宽度和厚度，该外接触区限定支承环的上表面的至少一部分；

位于内接触区和外接触区之间的沟道，该沟道具有宽度和厚度；

从外接触区沿径向向外的外唇边，该外唇边具有宽度和深度，该外唇边的深度小于外接触区的厚度；

其中，内接触区的宽度、外接触区的宽度、沟道的宽度以及外唇边的宽度的尺寸形成为使得：当支承晶片时，支承环的上表面与晶片接触的位置不同于在第二处理操作期间第二晶片支承结构与晶片接触的位置。

16.根据权利要求15的支承环，其特征在于：当支承晶片时，支承环的上表面与晶片接触的位置不同于在第三处理操作期间第三晶片支承结构与晶片接触的位置。

17.根据权利要求15的支承环，其特征在于：该支承环还包括从所述中央开口延伸到支承环的外周的径向开口。

18.一种用于在多个处理操作期间支承晶片的系统，该系统包括：

第一晶片支承结构，该第一晶片支承结构构造成通过第一晶片支承结构的上表面与晶片表面在晶片表面上的第一多个位置的接触来支承晶片；以及

第二晶片支承结构，该第二晶片支承结构构造成通过第二晶片支承结构的上表面与晶片表面在晶片表面上的第二多个位置的接触来支承晶片，其中，第二多个位置中的至少一个位置不同于第一多个位置中的至少一个位置。