[发明专利]晶片支承环

说明书

背景技术

在热处理（例如退火）期间，半导体晶片经常经受高温。然而，在退火期间，半导体晶片变得塑性更大，如果它们没有得到充分支承，则半导体晶片可能由于重力和热应力作用而滑移。滑移可能将污染物引入半导体晶片并可能导致晶片损坏。在退火期间，晶片支承在晶片保持平台（即，支承环）上。典型性地，这些平台与晶片仅在晶片表面的特定点接触，而不是在晶片的整个表面上接触，滑移可能产生在这些接触点处。

发明内容

本发明的第一方面是一种用于在多个处理操作期间支承晶片以防止滑移的方法。该方法包括：在第一处理操作期间，使用支承环支承晶片，其中，该支承环具有上表面。在第一处理操作结束后，将晶片传送到第二晶片支承结构。在第二处理操作期间，使用第二支承结构支承晶片，其中，该第二支承结构具有上表面。晶片与支承环的上表面在晶片表面上的第一多个位置接触，并且晶片与第二支承结构的上表面在晶片上的不同于所述第一多个位置的第二多个位置接触，以防止或阻止滑移。

本发明的另一方面是一种弓形晶片支承环，该支承环具有中央开口、上表面以及下表面。支承环包括宽度在10mm和25mm之间的内接触区，该内接触区限定支承环的上表面的至少一部分。在内接触区和支承环的外周之间设置有沟道，该沟道的宽度在25mm和40mm之间。支承环具有200mm的内径和300mm的外径，且内接触区的宽度和沟道的宽度之和等于50mm。

本发明的又一方面是一种弓形晶片支承环，该支承环具有中央开口、上表面以及下表面。该支承环包括内接触区、外接触区、位于内接触区和外接触区之间的沟道以及从外接触区沿径向向外的外唇边，该内接触区具有宽度和厚度，该内接触区限定支承环的上表面的至少一部分，该外接触区具有宽度和厚度，该外接触区限定支承环的上表面的至少一部分，该沟道具有宽度和厚度，该外唇边具有宽度和深度，该外唇边的深度小于外接触区的厚度。内接触区的宽度、外接触区的宽度、沟道的宽度以及外唇边的宽度的尺寸形成为使得：当支承晶片时，支承环的上表面与晶片接触的位置不同于在第二处理操作期间第二晶片支承结构与晶片接触的位置。

本发明的再一方面是一种用于在多个处理操作期间支承晶片的系统。该系统包括第一晶片支承结构和第二晶片支承结构。第一晶片支承结构构造成通过第一晶片支承结构的上表面与晶片表面在晶片表面上的第一多个位置的接触来支承晶片。该第二晶片支承结构构造成通过第二晶片支承结构的上表面与晶片表面在晶片表面上的第二多个位置的接触来支承晶片，其中，第二多个位置中的至少一个位置不同于第一多个位置中的至少一个位置。

在上述各方面所述的特征存在各种改进。在上述各方面中也可以结合有进一步的特征。这些改进和附加特征可单独存在或以任意组合存在。例如，下面在图示出的实施例中讨论的各种特征可单独或以任意组合结合在上述任一方面中。

附图说明

图1是晶片的顶视图；

图2是用于支承晶片的支承环的一个实施例的透视图，为清楚起见，部分晶片被去除；

图3是图2所示支承环的顶视图；

图4是图3所示支承环沿4-4线截取的截面图；

图5是用于支承晶片的支承环的另一实施例的顶视图；

图6是图4所示支承环沿6-6线截取的截面图；

图7是多个支承环的示意图；

图8是示出使用多个不同支承环支承晶片的方法的流程图。

具体实施方式

现在参考附图并尤其是参考图1-4，支承环（宽泛地讲，“第一晶片支承结构”）总体上由100指示。支承环100的尺寸一般地形成为用于支承半导体晶片，例如硅晶片W。根据一些实施例，晶片W可为绝缘体上硅（SOI）晶片。图2示出了晶片W的一部分，而图3省略了晶片W，图4中用虚线示出了晶片W。在一些实施例中，在晶片的高温退火期间，支承环100和晶片W放置在竖直晶片船（wafer boat）中（未示出），该晶片船继而放置在炉内。支承环100的下表面102（图4）搁置在从竖向晶片船延伸出的指状件（未示出）或其它支承结构上，而上表面104在其上支承着晶片。

支承环100总体上是弓形的，并具有中央开口106和从该中央开口延伸到支承环的外周的径向开口108。支承环100可由任何合适的材料制作，例如碳化硅或硅。支承环100具有外径OD、内径ID和厚度T（图3）。在一些实施例中，支承环的厚度T为3mm，而在其它一些实施例中，厚度在1mm和10mm之间。