[发明专利]含有导电填料的半导电聚烯烃组合物有效
申请号: | 201180022256.7 | 申请日: | 2011-04-05 |
公开(公告)号: | CN103097444A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | C·斯万贝里;松·范;M·A·马利克;F·科斯塔;刘毅;上松高石;T·库尔木派斯 | 申请(专利权)人: | 博里利斯股份公司 |
主分类号: | C08K3/04 | 分类号: | C08K3/04;H01B1/24;C08J5/00 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 黄泽雄;高艳丽 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 导电 填料 烯烃 组合 | ||
1.一种半导电聚烯烃组合物,包括
(a)烯烃聚合物基础树脂,和
(b)石墨烯微片。
2.根据权利要求1所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,还包括
(c)不同于(b)的固体导电填料。
3.根据权利要求1或2所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述石墨烯微片(b)的平均厚度为1-50nm,优选为1-40nm,更优选为1-20nm。
4.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,通过原子力显微镜测量的所述石墨烯微片(b)的直径与厚度之间的长宽比为50或更高。
5.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,基于所述聚烯烃组合物的全部重量,所述石墨烯微片(b)的含量范围为2-20wt%,优选为4-15wt%,更优选为4-14wt%,并且甚至更优选为6-12wt%。
6.根据权利要求2-5中的任一项所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述固体导电填料(c)为炭黑。
7.根据权利要求6所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述炭黑满足如下要求中的至少一个,优选为如下要求的组合,更优选为如下要求的全部:
(a)根据ASTM D 1510测定的碘值为至少30mg/g,
(b)根据ASTM D 2414测定的DBP油吸收值为至少30ml/100g,
(c)根据ASTM D 3037测定的BET氮表面积为至少30m2/g,
(d)根据ASTM D5816测定的统计学表面积(STSA)为至少30m2/g。
8.根据权利要求2-7中的任一项所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,相对于所述石墨烯微片(b)的重量,所述组合物中所含有的固体导电填料(c)的份额为5-95wt%。
9.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述烯烃聚合物基础树脂(a)含有乙烯均聚物或共聚物或丙烯均聚物或共聚物。
10.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述烯烃聚合物基础树脂(a)包括乙烯与至少一种共聚单体的共聚物,所述共聚单体选自不饱和酯,优选选自乙烯酯、丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯,更优选地,所述至少一种共聚单体选自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或丙烯酸丁酯,更优选地,相对于组合物的聚合部分中单体的总量,丙烯酸酯共聚单体单元的量为1-15mol%。
11.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,所述聚烯烃组合物的MFR2与烯烃聚合物基础树脂的MFR2之间的比值为0.30或更高,其中,对于聚乙烯而言,根据ISO1133,在2.16kg负载和190℃下测定所述MFR2,对于聚丙烯而言,根据ISO1133,在2.16kg负载和230℃下测定所述MFR2。
12.根据前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物,其特征在于,在被挤出的样品上测定的以R_RMS表征的表面粗糙度为100微米或更少。
13.一种用于制备前述任一项权利要求所述的半导电聚烯烃组合物的方法,其特征在于,所述方法包括将所述石墨烯微片(b)和所述固体导电填料(c)进行预混合。
14.含有根据权利要求1-13任一项所述的半导电聚烯烃组合物的制品,优选地,所述制品为电力电缆,更优选地,所述电力电缆包括含有根据权利要求1-13任一项所述的半导电聚烯烃组合物的半导电层。
15.根据权利要求1-12任一项所述的半导电聚烯烃组合物用于电力电缆的半导电层中的用途。
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