[发明专利]具有局部电流吸收器的存储器装置

权利要求书

1.一种电子装置，其包括：

一个或一个以上写入驱动器；

至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线；以及

电流吸收器电路，其包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述MTJ包括自由层、隧道势垒层和钉扎层。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述MTJ经由存取晶体管耦合到所述源极线。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述MTJ在所述电流吸收器电路与所述一个或一个以上写入驱动器之间耦合到所述位线。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述单个晶体管的栅极耦合到所述源极线，且其中所述单个晶体管的源极端子耦合到所述位线。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括多路复用器，所述多路复用器将所述位线和所述源极线耦合到所述一个或一个以上写入驱动器。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括至少一个耦合到所述位线的额外MTJ。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述电子装置并入到自旋力矩转移磁阻随机存取存储器STT-MRAM装置。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中在执行写入操作时电流穿过所述至少一个MTJ行进到所述电流吸收器电路。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其集成在至少一个半导体裸片中。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括选自由机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机组成的群组的装置，所述电子装置集成到所述装置中。

12.一种电子装置，其包括：

至少一个电阻存储器，其耦合到位线且耦合到源极线；以及

电流吸收器电路，其包括单个放电路径，其中所述单个放电路径经配置以将所述位线耦合到局部接地。

13.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述单个放电路径包括第一晶体管，所述第一晶体管包括耦合到所述源极线的栅极，且其中所述位线响应于所述源极线处的电压而选择性地耦合到所述局部接地。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述单个放电路径进一步包括串联耦合到所述第一晶体管的第二晶体管，且其中所述第二晶体管响应于测试模式信号以选择性地阻断所述位线通过所述单个放电路径的放电。

15.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述电子装置并入到电阻随机存取存储器R-RAM装置中。

16.根据权利要求12所述的电子装置，其中在包含所述电流吸收器电路被激活的第一写入操作期间的所述位线处的第一寄生电阻小于在包含所述电流吸收器电路被去激活的第二写入操作期间发生的所述位线处的第二寄生电阻。

17.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述第一寄生电阻引起第一源极负载效应，且其中所述第二寄生电阻引起大于所述第一源极负载效应的第二源极负载效应。

18.根据权利要求12所述的电子装置，其中在执行写入操作以写入第一数据值而不写入第二数据值时，电流经由所述至少一个电阻存储器经由所述电流吸收器电路行进到所述局部接地。

19.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述电流吸收器电路具有小于或等于一毫微法的电容。

20.根据权利要求12所述的电子装置，其进一步包括耦合到所述电流吸收器电路的测试模式信号线。

21.根据权利要求20所述的电子装置，其中经由所述测试模式信号线发送的测试模式信号控制所述单个放电路径的放电操作。

22.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述单个放电路径包括具有小于或等于两微米的宽度的晶体管。

23.根据权利要求12所述的电子装置，其集成在至少一个半导体裸片中。