[发明专利]具有局部电流吸收器的存储器装置

说明书

技术领域

本发明大体上涉及具有局部电流吸收器的存储器装置。

背景技术

技术的进步已经产生了更小且更强大的计算装置。举例来说，当前存在多种便携式个人计算装置，包含无线计算装置，例如体积小、重量轻且易于由用户携带的便携式无线电话、个人数字助理(PDA)和寻呼装置。更具体来说，例如蜂窝式电话和因特网协议(IP)电话等便携式无线电话可经由无线网络传送话音和数据包。此外，许多此类无线电话包含并入其中的其它类型的装置。举例来说，无线电话还可包含数字照像机、数字摄像机、数字记录器和音频文件播放器。而且，此些无线电话可处理可执行指令，包含可用以接入因特网的软件应用程序，例如网页浏览器应用程序。因而，这些无线电话可包含强大的计算能力，且可使用存储器装置。

例如磁阻随机存取存储器(MRAM)等存储器装置可具有寄生电阻，即，设计材料中固有的电阻。在执行写入操作时，寄生电阻可能会产生更大的电流和功率要求，这通常是不合意的。

发明内容

本发明揭示一种自旋力矩转移MRAM (STT-MRAM)，其包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路提供到局部接地的位线放电路径。在特定实施方案中，电流吸收器电路可具有单个晶体管。在另一特定实施方案中，第二晶体管可使得测试模式信号能够选择性地停用到局部接地的位线放电路径。提供位线到局部接地的放电路径减少了与位线相关联的寄生电阻，且可在数据写入操作期间减少源极负载效应。

在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结(MTJ)，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含具有单个晶体管的电流吸收器电路。所述单个晶体管耦合到位线且耦合到源极线。

在另一特定实施例中，所述电子装置包含至少一个电阻存储器，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置包含具有单个放电路径的电流吸收器电路。所述单个放电路径经配置以将位线耦合到局部接地。

在另一特定实施例中，一种方法包含在耦合到位线且耦合到源极线的磁性隧道结(MTJ)处起始第一写入操作。所述第一写入操作将第一电压施加到位线以在MTJ处存储第一数据值，且具有经由写入驱动器到接地的第一放电路径。所述方法包含在MTJ处起始第二写入操作。所述第二写入操作将第二电压施加到源极线以在MTJ处存储第二数据值，且具有经由电流吸收器电路到接地的第二放电路径。经由电流吸收器电路驱动器到接地的第二放电路径比经由写入驱动器到接地的第一放电路径短。

所揭示的实施例中的至少一者提供的一个特定优点是，与在电流吸收器电路未被激活时的寄生电阻相比，在电流吸收器电路被激活时写入操作的寄生电阻减小。所揭示的实施例中的至少一者提供的另一特定优点是，与在电流吸收器电路未被激活时相比，在电流吸收器电路被激活时写入操作的源极负载效应减小。

在审阅整个申请案之后将明白本发明的其它方面、优点和特征，所述整个申请案包含以下部分：附图说明、具体实施方式和权利要求书。

附图说明

图1是具有局部电流吸收器的存储器装置的第一说明性实施例的框图；

图2是具有局部电流吸收器的存储器装置的第二说明性实施例的框图；

图3是具有局部电流吸收器的存储器装置的第三说明性实施例的框图；

图4是提供局部放电路径的方法的流程图；

图5是制造具有包含局部电流吸收器的存储器装置的集成电路装置的方法的说明性实施例；以及

图6是包含局部电流吸收器的电子装置的说明性实施例。

具体实施方式

参看图1，揭示具有局部电流吸收器的存储器装置的第一说明性实施例的框图且将其大体上标示为100。存储器装置100包含写入驱动器102，其经由多路复用器104耦合到位线108且耦合到源极线110。存储器装置100包含至少一个磁性隧道结(MTJ)，例如耦合到位线108且经由第一存取晶体管126耦合到源极线110的第一MTJ 120。第二MTJ 121可耦合到位线108且经由第二存取晶体管127耦合到源极线110。第三MTJ 122可耦合到位线108且经由第三存取晶体管128耦合到源极线110。第四MTJ 123可耦合到位线108且经由第四存取晶体管129耦合到源极线110。包含单个晶体管130的电流吸收器电路106耦合到位线108且耦合到源极线110。