[发明专利]异质3D堆叠中的增强模块性有效

专利信息
申请号: 201180024893.8 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN102906872A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: P·G·埃玛;E·库尔逊;J·A·里沃斯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 高青
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 异质 堆叠 中的 增强 模块
【权利要求书】:

1.一种制造三维计算机处理芯片堆叠的方法,所述方法包括:

制备宿主层,包括:

在宿主层的第一平面侧形成用于容纳预先配置的相对于彼此具有异质属性的芯片的腔,所述腔被形成以适应所述芯片的异质属性;

把芯片布置在宿主层上的对应腔中;以及

把芯片接合到腔的相应表面,从而形成相对于宿主层和芯片具有平滑表面的元件;以及

把宿主层与堆叠中的至少一个其它层集成。

2.按照权利要求1所述的方法,进一步包括:

在所述元件上配置可编程布线,使得在布置在宿主层中的芯片间能够进行通信。

3.按照权利要求1所述的方法,其中,所述异质属性包括长宽比的变化。

4.按照权利要求1所述的方法,其中,所述异质属性包括尺寸的变化。

5.按照权利要求1所述的方法,其中,所述异质属性包括厚度的变化。

6.按照权利要求1所述的方法,其中,所述异质属性包括电源电压的变化。

7.按照权利要求1所述的方法,其中,所述异质属性包括时钟规范的变化。

8.按照权利要求1所述的方法,其中,每个芯片被配置成包括不同的电源电压和时钟网格,其中电力和时钟分配网络以及操作规范与其它芯片不相容。

9.按照权利要求1所述的方法,其中,通过蚀刻宿主层的至少一侧来形成所述腔。

10.按照权利要求1所述的方法,其中,在宿主层上形成腔包括在宿主层上蚀刻所述腔以容纳芯片,根据堆叠的个别要求来选择包含在宿主层上的芯片,其中,在容纳芯片后,使宿主层与所述至少一个其它层集成以形成堆叠,并且共同作用以满足堆叠的个别要求。

11.按照权利要求1所述的方法,其中,所述宿主层由导热材料形成,并且所述宿主层通过所述导热材料来消散由宿主层上的芯片和所述至少一个其它层的组件产生的热。

12.按照权利要求1所述的方法,其中,所述宿主层包括嵌入式金属结构,并且所述宿主层通过所述嵌入式金属结构来消散芯片产生的热。

13.按照权利要求1所述的方法,其中,所述宿主层配置有网状结构,并且所述宿主层经由所述网状结构来保护所述三维计算机处理芯片堆叠免受α辐射。

14.按照权利要求1所述的方法,其中,所述芯片包括至少一个修补芯片。

15.按照权利要求1所述的方法,其中,所述芯片选自一组具有预定功能的预先制造和预先测试的模块化计算机芯片,所述预定功能包括:

加速;

加密;和

冗余。

16.按照权利要求1所述的方法,其中,制备宿主层进一步包括:

在宿主层上设置对准标记,用于使宿主层与至少一个其它层对准,经由引导通过宿主层的激光束使宿主层与至少一个其它层对准,其中,当激光束穿过宿主层和设置在至少一个其它层上的对准孔时,宿主层和至少一个其它层被成功地对准。

17.按照权利要求1所述的方法,其中,制备宿主层进一步包括:

在宿主层的第二平面侧形成腔,宿主层的第二平面侧与宿主层的第一平面侧水平相对,在宿主层的第二平面侧形成的腔用于容纳预先配置的具有异质属性的芯片,在宿主层的第二平面侧的腔被形成以适应芯片的异质属性;

其中,第一平面侧代表宿主层的底部,而第二平面侧代表宿主层的顶部。

18.按照权利要求1所述的方法,其中,当被布置在宿主层上时,每个芯片没有与宿主层上的其它芯片的电气和功能连接。

19.一种三维计算机处理芯片堆叠,包括:

布置在堆叠中的至少一个其它层上的宿主层,所述宿主层包括在其上形成的用于容纳预先配置的相对于彼此具有异质属性的芯片的腔,所述腔被形成以适应芯片的异质属性;

其中,所述芯片被接合到腔的相应表面,从而形成相对于宿主层和芯片具有平滑表面的元件。

20.按照权利要求19所述的三维计算机处理芯片堆叠,进一步包括:

配置在所述元件上的可编程布线,使得在布置在宿主层上的芯片之间能够进行通信。

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