[发明专利]半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201180025735.4 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN102906563A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 初川聪 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: G01N25/72 分类号: G01N25/72;G01R31/26;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李亚;穆德骏
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成并联连接多个半导体元件的电路的工序;以及检查工序,对构成上述电路的半导体元件进行检查,上述半导体装置的制造方法的特征在于,

上述检查工序包括如下工序:

对形成于上述基板上的电路中所包含的各半导体元件施加电压;

检测各半导体元件是否伴随施加电压而发热;以及

切断检测出发热的半导体元件与其它半导体元件之间的连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,

上述半导体元件为包含SiC、GaN或金刚石的元件。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中,

上述半导体元件为二极管或晶体管。

4.根据权利要求l至3中任一项所述的半导体装置的制造方法,其中,

通过红外线热像仪、红外线显微镜或温度传感器检测各半导体元件有无发热。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法,其中,

将示温纸或示温涂料附加于各半导体元件上,并根据该示温纸或示温涂料的颜色变化来检测各半导体元件有无发热。

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