[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用小容量芯片的半导体装置的制造方法。

背景技术

碳化硅(SiC)除在硬度、耐热性、化学稳定性上具有优异的性质以外，作为半导体材料的性质也受到关注，近年来，使用SiC半导体的功率器件正走向实用化。

对于使用SiC半导体的功率器件的大容量化(大电流化)，需要扩大芯片面积，但由于耐电压的合格率大幅度降低，因此现阶段仅小容量芯片正处于实用化。

提出有为了使用上述小容量芯片实现大电流化而并联连接多个小容量芯片的半导体装置(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-95670号公报

发明内容

发明要解决的问题

当使用专利文献1中所公开的技术时，通过并联连接多个小容量SiC二极管，从而能够流通大电流，但安装时的合格率变差，因此若要获得所需数量的半导体装置，则需要制成更多的半导体装置。

SiC等的化合物半导体因基板质量的关系无法增大芯片而成为小容量产品。为获得大电流器件，例如专利文献1所公开的那样，需要并联连接多个小容量芯片。对于安装在基板上的小容量芯片，虽然使用检查为合格的合格品，但由于安装时进行加热，因此即使使用合格品，也会以一定比例产生不合格。将安装一个小容量芯片时的合格率设为a(0≤a≤1)时，安装n个小容量芯片而形成大电流器件时的合格率即为aⁿ。如此，安装多个小容量芯片而使电流容量增加时，存在合格率呈指数函数地变差的问题。

因此，为制造m个大电流器件，平均需要制成m/aⁿ个基板。

另外，由于不合格芯片从外观上无法辨别，因此难以通过目视鉴定并排除不合格芯片。进一步，虽然在硅等可大型化的芯片中，也能够在制造时对芯片自身进行检查而判断不合格的有无，从而仅使用合格品，但在如上所述的无法实现芯片的大型化的SiC等的半导体芯片中，难以以单品检查芯片。

本发明的目的在于，提供一种能够通过目视鉴定在安装过程中产生的不合格芯片并排除该不合格芯片的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的手段

一种实施方式的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成并联连接多个半导体元件的电路的工序；以及检查工序，对构成上述电路的半导体元件进行检查，其特征在于，上述检查工序包括如下工序：对形成于上述基板上的电路中所包含的各半导体元件施加电压；检测各半导体元件是否伴随施加电压而发热；以及切断检测出发热的半导体元件与其它半导体元件之间的连接。

在该制造方法中，即使在将多个半导体元件组装入安装基板上之后，也能够根据各半导体元件的发热的有无而检测安装时所产生的不合格，并且通过仅排除产生不合格的半导体元件，从而能够获得使用剩余的半导体元件而正常发挥功能的半导体装置。

一种实施方式的半导体装置的制造方法，其特征也可在于，上述半导体元件为包含SiC、GaN或金刚石的元件。

在该制造方法中，即使在使用难以扩大芯片面积、电流容量较小的半导体元件时，也能够通过并联连接多个半导体元件而作为装置整体实现大电流化。

一种实施方式的半导体装置的制造方法，其特征也可在于，上述半导体元件为二极管或晶体管。

在该制造方法中，由于构成有并联连接多个二极管或晶体管的半导体装置，因此即使在各半导体元件的电流容量较小时，也可作为装置整体而实现大电流化。

一种实施方式的半导体装置的制造方法，其特征也可在于，通过红外线热像仪、红外线显微镜、或温度传感器来检测各半导体元件有无发热。

在使用红外线热像仪、红外线显微镜作为检测半导体元件有无发热的机构时，通过对这些热影像装置中所生成的温度分布图像进行解析来检测有无发热。另外，在使用热电偶、热敏电阻等温度传感器作为检测半导体元件有无发热的机构时，例如根据电压的变化来检测有无发热。

一种实施方式的半导体装置的制造方法，其特征也可在于，在各半导体元件上附加示温纸或示温涂料，根据该示温纸或示温涂料的颜色变化来检测各半导体元件有无发热。

在该制造方法中，根据附加在各半导体元件上的示温纸或示温涂料的颜色变化来检测各半导体元件有无发热。

发明的效果