[发明专利]电子电路有效
| 申请号： | 201180026251.1 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102934348A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 奥村启树 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M3/155;H02M7/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子电路 | ||
1.一种电子电路，其中，包含：
双极性器件；
与所述双极性器件并联地连接的单极性器件；以及
与所述双极性器件及单极性器件连接的输出线，
所述单极性器件和所述输出线之间的电感比所述双极性器件和所述输出线之间的电感小。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，
所述双极性器件是由以SiC为主的半导体材料制作的SiC半导体器件。
3.根据权利要求1或2所述的电子电路，其中，
由所述单极性器件和所述输出线之间的电感产生的反电动势为2.0V以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子电路，其中，
所述双极性器件包含PN结二极管，所述单极性器件包含肖特基势垒二极管。
5.根据权利要求4所述的电子电路，其中，
还包含：将所述PN结二极管的阳极与所述肖特基势垒二极管的阳极进行连接，并且寄生有电感的连接金属部件，
所述肖特基势垒二极管的阳极与所述输出线连接。
6.根据权利要求4所述的电子电路，其中，
还包含：将所述PN结二极管的阴极与所述肖特基势垒二极管的阴极进行连接，并且寄生有电感的连接金属部件，
所述肖特基势垒二极管的阴极与所述输出线连接。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的电子电路，其中，
所述PN结二极管与开关器件反并联连接。
8.根据权利要求7所述的电子电路，其中，
所述开关器件为MOSFET，所述PN结二极管内置于所述MOSFET中。
9.根据权利要求8所述的电子电路，其中，
还包含：将所述MOSFET的源极与所述肖特基势垒二极管的阳极进行连接，并且寄生有电感的连接金属部件，
所述肖特基势垒二极管的阳极与所述输出线连接。
10.根据权利要求8所述的电子电路，其中，
还包含：将所述MOSFET的漏极与所述肖特基势垒二极管的阴极进行连接，并且寄生有电感的连接金属部件，
所述肖特基势垒二极管的阴极与所述输出线连接。
11.根据权利要求9所述的电子电路，其中，
还包含：将所述肖特基势垒二极管的阳极与所述输出线进行连接，并且寄生有电感的连接金属部件。
12.根据权利要求11所述的电子电路，其中，
连续地连接将所述MOSFET的源极与所述肖特基势垒二极管的阳极进行连接的所述连接金属部件和将所述肖特基势垒二极管的阳极与所述输出线进行连接的所述连接金属部件。
13.根据权利要求5、6、9、10、11或12所述的电子电路，其中，
所述连接金属部件包含导线。
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