[发明专利]发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201180026537.X | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN102918662A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 市川将嗣 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,其按顺序包括透光性部件、具有半导体层叠部的发光元件和设置在上述半导体层叠部的电极,其特征在于,
上述发光元件从上述透光性部件侧起具有第1区域和第2区域,
上述透光性部件从上述发光元件侧起具有第3区域和第4区域,
与上述第2区域相比,上述第1区域的原子排列不规则,
与上述第4区域相比,上述第3区域的原子排列不规则,
上述第1区域与上述第3区域直接接合。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
上述发光元件中的与上述透光性部件接触的部位与上述透光性部件为相同的材料。
3.一种发光装置的制造方法,其特征在于,
包含:
发光元件准备工序,准备具有设置了电极的半导体层叠部的发光元件;
透光性部件准备工序,准备透光性部件;以及
接合工序,在设置了上述电极侧的相反侧,将上述发光元件与上述透光性部件直接接合。
4.一种发光装置的制造方法,其特征在于,
包含:
发光元件准备工序,准备具有半导体层叠部的发光元件;
透光性部件准备工序,准备透光性部件;
接合工序,将上述发光元件与上述透光性部件直接接合;以及
电极形成工序,在接合上述透光性部件侧的相反侧,在上述半导体层叠部形成电极。
5.根据权利要求3或4所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
上述发光元件中的与上述透光性部件接触的部位与上述透光性部件为相同的材料。
6.根据权利要求3~5中任意一项所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
利用表面活化接合法,使上述发光元件与上述透光性部件接合。
7.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
上述发光元件中的与透光性部件接触的部位由蓝宝石或GaN形成,透光性部件由蓝宝石或GaN形成。
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