[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有发光元件和透光性部件的发光装置及其制造方法。

背景技术

以往，为提高发光装置的出光效率而进行了各种尝试。例如在专利文献1中，将p电极设为光反射层，从而利用p电极使光反射来实现出光效率的提高。在专利文献2中，通过在基板面设置凹凸，来实现出光效率的提高。

专利文献1：日本特开2007-157853号公报

专利文献2：日本特开2008-060286号公报

发明内容

然而，即便使用例如以往的构造，也无法完全取出光。即，存在如下问题：光的一部分在发光元件的上下面重复反射后被取出至外部，但反射次数越多则光越被电极等吸收而越衰减。

因此，本发明的目的在于提供一种抑制元件内部的光的衰减、且出光效率高的发光装置及其制造方法。

本发明的发光装置按顺序具有：透光性部件、具有半导体层叠部的发光元件和设置在半导体层叠部的电极。尤其本发明的发光装置的特征在于：发光元件从透光性部件侧具有第1区域和第2区域，透光性部件从发光元件侧具有第3区域和第4区域，与第2区域相比，第1区域的原子排列不规则，与第4区域相比，第3区域的原子排列不规则，第1区域与第3区域直接接合。

本发明的发光装置的制造方法的特征在于包含：发光元件准备工序，准备具有设置了电极的半导体层叠部的发光元件；透光性部件准备工序，准备透光性部件；以及接合工序，在设置了电极侧的相反侧，将发光元件与透光性部件直接接合。

根据以上那样构成的本发明，能够提供一种抑制元件内部的光的衰减，且出光效率高的发光装置及其制造方法。

附图说明

图1是用于说明本发明的一个发光装置的剖面的图。

图2是图1的虚线部分的放大图。

图3A是本发明的一个发光装置的制造方法中的发光元件及透光性部件准备工序的图。

图3B是在本发明的一个发光装置的制造方法中，使发光元件与透光性部件的接合面活化的工序的图。

图3C是在本发明的一个发光装置的制造方法中，将发光元件与透光性部件接合的工序的图。

附图标记的说明如下：

10发光元件；11基板；11a第1区域；11b第2区域；12半导体层叠部；13n电极；14p电极；14a电流扩散部；14b焊盘部；20透光性部件；20a第3区域；20b第4区域。

具体实施方式

以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。其中，以下所示的方式是用于使本发明的技术思想具体化的发光装置及其制造方法的例示，不将本发明限定为以下。另外，实施方式所记载的构成零件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要未特殊记载，则并非将本发明的范围仅限定于此的含义，而只不过是例示。此外，各附图所示的部件的大小、位置关系等，存在为明确说明而将其夸张地表示的情形。进而，为简化说明，对相同或同质的构成要件标注相同的附图标记，并适当省略其说明。

图1表示与本实施方式的发光装置的光观测面垂直的方向上的剖面图，图2表示图1的虚线部分的放大图。

如图1所示，本发明的一方式的发光装置按顺序包含透光性部件20、具有半导体层叠部12的发光元件10和设置在半导体层叠部12的电极13、14。即，透光性部件20与电极13、14经由发光元件10位于相反侧。进而，如图2所示，发光元件10自透光性部件20侧起具有第1区域11a及第2区域11b，透光性部件20自发光元件10侧起具有第3区域20a及第4区域20b。此处，与第2区域11b相比，第1区域11a的原子排列不规则，与第4区域20b相比，第3区域20a的原子排列不规则，第1区域11a与第3区域20a直接接合。

在如上构成的实施方式的发光装置中，能够增厚光重复反射的部分（半导体层叠部12、基板11和透光性部件20的合计厚度），因此能够减少光照射到电极13及14的次数。由此，主要能够降低在电极13及14处的光的吸收，从而能够提高作为发光装置的出光效率。

以下进行详细说明。