[发明专利]溅射成膜装置及防附着部件

说明书

技术领域

本发明涉及溅射成膜装置及防附着部件。

背景技术

在薄膜晶体管(TFT)的通道层的保护膜及绿玻璃的阻挡膜等中利用SiO₂薄膜。近年来，作为在大面积化的基板表面上形成SiO₂薄膜的方法，通常进行边使Si靶在O₂气环境中进行化学反应边进行溅射的反应性溅射。

图11表示现有溅射成膜装置110的内部构成图。

溅射成膜装置110具有真空槽111和多个溅射部120₁～120₄。各溅射部120₁～120₄的构造都相同，若以符号120₁的溅射部为代表进行说明，则溅射部120₁具有靶121₁、背板122₁、磁体装置126₁。

在此，靶121₁为Si，形成为比背板122₁表面的尺寸小的平板形状，靶121₁的外周整体位于比背板122₁表面的外周更靠内侧，以背板122₁表面的周缘部从靶121₁的外周露出的方式重叠贴合于背板122₁表面。以下将靶121₁、表面上贴合有靶121₁的背板122₁统称为靶部。

磁体装置126₁配置于背板122₁的背面侧。磁体装置126₁具有：直线状地配置在与背板122₁平行的磁体固定板127c₁上的中心磁体127b₁、从中心磁体127b₁的周缘部隔开规定距离而环状地包围中心磁体127b₁的外周磁体127a₁。外周磁体127a₁和中心磁体127b₁分别配置为极性彼此不同的磁极对置于靶121₁的背面。

在磁体装置126₁的背侧配置有移动装置129，磁体装置126₁安装于移动装置129。移动装置129构成为使磁体装置126₁沿与靶121₁的背面平行的方向移动。

若对溅射成膜装置110的整体构造进行说明，则各溅射部120₁～120₄的靶部以彼此离开且并列成一列的方式配置在真空槽111内，各靶部的靶121₁～121₄的表面以位于同一平面上的方式对齐。各背板122₁～122₄经由绝缘物114安装于真空槽111的壁面，与真空槽111电绝缘。

在各背板122₁～122₄的外周的外侧，以离开各背板122₁～122₄的外周的方式立设有金属制的防附着部件125₁～125₄，防附着部件125₁～125₄与真空槽111电连接。各防附着部件125₁～125₄的顶端以覆盖各溅射部120₁～120₄的背板122₁～122₄的周缘部的方式直角地向该溅射部120₁～120₄的靶121₁～121₄的外周弯曲，环状地包围该靶121₁～121₄的表面。将各靶121₁～121₄的表面中在防附着部件125₁～125₄的环的内周露出的部分称为溅射面。