[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201180031533.0 | 申请日: | 2011-10-06 |
公开(公告)号: | CN102959735A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 裵道园 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
支撑基板;
反射层,在支撑基板上;
氧化层,形成在反射层上并包含与反射层相同的材料;
背电极层,在氧化层上;
光吸收层,在背电极层上;
缓冲层,在光吸收层上;以及
窗口层,在缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,反射层包含钽(Ta)、钨(W)、铝(Al)、镁(Mg)、钕(Nd)、氧化锆、钛(Ti)和铍(Be)中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,反射层的厚度范围是大约10nm到大约5000nm。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,氧化层的厚度范围是反射层厚度的大约5%到大约80%。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,支撑基板包含铁(Fe)、镍(Ni)和铬(Cr)中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,背电极层包含金属材料并被设置成多重层。
7.一种太阳能电池的制造方法,该方法包括:
在包含金属的支撑基板上形成反射层;
通过氧化反射层的上部形成氧化层;
在氧化层上形成背电极层;
在背电极层上形成光吸收层;
在光吸收层上形成缓冲层;
在缓冲层上形成窗口层。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,氧化层通过PEO(plasma-electrolyte oxidization)方法或是ED(electro deposition)方法形成在反射层上。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,反射层包含钽(Ta)、钨(W)、铝(Al)、镁(Mg)、钕(Nd)、氧化锆、钛(Ti)和铍(Be)中的至少一种。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,氧化层的厚度范围是反射层厚度的大约5%到大约80%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的